Высота - потенциальный барьер - переход
Cтраница 2
 |
Включение транзистора в схеме с общей базой. [16] |
Происходит своеобразное перекачивание энергии от постоянной составляющей электрического поля к переменной составляющей. Посредниками в этом перекачивании энергии являются носители заряда, инжектированные из эмиттера и дошедшие до коллекторного перехода. Для их инжекции требуется произвести относительно небольшую работу, так как высота потенциального барьера эмиттер-ного перехода мала. [17]
Электроны из истока не могут диффундировать в подзатворную об-ластьчб, так как этому препятствует потенциальный барьер фои. Иными словами, эти электроны находятся в потенциальной яме глубиной фон - Для наглядности аналогии с ямой ось потенциала направлена вниз. Поверхностный потенциал области стока равен фос си, где фОС - высота потенциального барьера стокового перехода в равновесии, следовательно, в этой области электроны находятся в более глубокой потенциальной яме. Все напряжение UCH падает на обедненном слое стокового перехода, поэтому напряженность Qy продольного электрического поля под затвором равна нулю всюду, кроме краевых участков у границ p - n - переходов. Таким образом, концентрация электронов в подзатворной области 6 очень мала, канал между истоком и стоком отсутствует, напряженность продольного поля равна нулю, поэтому в цепи стока течет пренебрежимо малый ток стокового перехода. Такое состояние характерно не только для [ / Зи 0, но и для других значений напряжения L / зи, меньших порогового. [18]
 |
Конструкция фототранзистора.| Двухполюсная схема включения фототранзистора. [19] |
При освещении базы в ней появляются свободные электроны и дырки. Для базы фототранзистора типа р - п - р дырки являются неосновными носителями зарядов. Поэтому они втягиваются полем коллекторного перехода в коллектор, увеличивая ток в его цепи. Оставшиеся в базе основные носители зарядов-электроны - создают пространственный заряд, снижающий высоту потенциального барьера эмит-терного перехода. При этом облегчается переход дырок из эмиттера в базу, а затем в коллектор, что приводит к еще большему росту коллекторного тока, проходящего через нагрузочное сопротивление. [20]
Пробой развивается следующим образом. Электроны, движущиеся в сток, ускоряясь в сильном продольном электрическом поле, вызывают ударную ионизацию в обедненном слое у края стоковой области. УЗИ-Дополнительные электроны быстро переносятся электрическим полем в сток; по пути они могут, в свою очередь, вызвать ударную ионизацию. Менее подвижные дырки гораздо медленнее переносятся в подложку. Вследствие этого у края стока образуется дополнительный положительный объемный заряд дырок, изменяющий распределение электрического поля и понижающий высоту потенциального барьера р-п перехода исток-подложка у поверхности. [21]
Страницы: 1 2