Внешний квантовый выход

Cтраница 1

Внешний квантовый выход при температуре 77 К составлял около 2 - 10 - 5 кв / электрон; столь малая величина выхода обусловлена экстракцией электронов из селенида цинка в анод. [1]

Внешний квантовый выход лучших диффузионных СИД из прямозонного материала примерно в 2 раза ниже значения квантового выхода лучших СИД, полученных жидкостной эпитаксией. [2]

Структура светодиодов. [3]

Просветляющие покрытия увеличивают внешний квантовый выход примерно в 1 5 раза вне зависимости от структуры светодиода. Применение многослойных просветляющих покрытий позволяет повысить внешний квантовый выход, но усложняет технологию изготовления светодиодов. [4]

Таким образом, внешний квантовый выход ц - это интегральный показатель излучательной способности СИД, который учитывает эффективность инжекции у, электролюминесценции г [ э и вывода излучения ц0пт в создании оптического излучения. [5]

Таким образом, внешний квантовый выход ц - это интегральный показатель излучательной способности СИД, который учитывает эффективность инжекции у, электролюминесценции г ] э и вывода излучения г) ОПт в создании оптического излучения. [6]

В целях увеличения внешнего квантового выхода приборов за счет уменьшения поглощения излучения в качестве подложки применяют пластины фосфида галлия с выводом излучения через подложку. Фосфид галлия более прозрачен для красного излучения по сравнению с арсенидом галлия. [7]

Энергетической характеристикой светодиодов является внешний квантовый выход ( эффективность), который определяется как отношение числа излученных фотонов к числу рекомбинирующих носителей. Внешний квантовый выход, как правило, меньше внутреннего квантового выхода, что обусловлено поглощением излучения в толще полупроводника, контактах и френелевскими потерями. Для повышения внешнего квантового выхода применяются полусферические конструкции светодиодов и многослойные просветляющие покрытия. [8]

Устройство светодиодов.| Принципиальное ( схематическое устройство оптрона. [9]

Снижение внешней эффективности ( внешнего квантового выхода) обусловлено поглощением части фотонов внутри полупроводника, а также явлением полного внутреннего отражения от поверхности. [10]

Потери оптического излучения при выводе во внешнюю среду. [11]

Однако даже при большом значении уп внешний квантовый выход может оказаться малым вследствие низкого вывода излучения из структуры диода во внешнюю среду. [12]

Даже при высоком внутреннем квантовом выходе внешний квантовый выход светодиодов оказывается значительно ниже, так как из-за высокого показателя преломления полупроводника большая часть квантов света испытывает полное внутреннее отражение на границе раздела полупроводника с окружающим воздухом. После отражения в полупроводнике может происходить поглощение квантов света. Через границу раздела проходит лишь та небольшая доля света, которая падает на границу раздела под углом, меньшим критического угла полного внутреннего отражения фкр arc sin ( l / nr), где nr - коэффициент преломления света в полупроводнике, равный, например, 3 3 и 3 6 для фосфида и арсенида галлия соответственно. [13]

Потери при выводе оптического излучения из активной области. [14]

Полное внутреннее отражение может сильно ограничивать внешний квантовый выход СИД. Этот эффект особенно ярко выражен в полупроводниках с прямыми переходами, где почти все излучение, претерпевшее полное внутреннее отражение, поглощается. В полупроводниках с непрямыми переходами внутреннее поглощение гораздо слабее и, следовательно, излучение имеет большую вероятность дойти до какой-либо поверхности кристалла диода. Потери при прохождении света внутри диодной структуры примерно пропорциональны V / S o, где хо - глубина поглощения, V, - объем, S - площадь полной поверхности кристалла СИД. [15]

Страницы: 1 2 3 4