Внешний квантовый выход

Cтраница 2

Конструктивное исполнение светодиодов сильно влияет на значение внешнего квантового выхода, а следовательно, и КПД прибора. Из-за высокого коэффициента преломления исходного материала светодиодов большая часть света испытывает полное внутреннее отражение на границе раздела полупроводник - воздух. В результате из-за многократных переотражений от границ ( рис. 7.36) увеличивается поглощение света в полупроводнике и только единицы процентов энергии излучения выходят из светодиодов простейшей плоской конструкции. Излучаемый в области р-п-перехода 3 свет падает на подложку 1 и частично поглощается, что приводит к дополнительным потерям энергии. [16]

При умеренно низких токах ( 0 2 А) внешний квантовый выход г ] при 298 К равнялся 0 27 фотон / электрон, уменьшаясь до 21 % при токе 1 А за счет появления эффектов нагрева. [17]

Как должна быть выполнена структура и конструкция светодиода для получения наибольшего внешнего квантового выхода. [18]

Как должны быть выполнены структура и конструкция светоизлучающего диода для получения наибольшего внешнего квантового выхода. [19]

Для его увеличения необходимо повышать коэффициент спектрального согласования светоизлучателя, фотоприемника и оптической среды kK, коэффициент прозрачности оптической среды knp, внешний квантовый выход светоизлучателя rice, квантовый выход Цф и коэффициент усиления М фотоприемника. [20]

Рекомбинационное излучение GaP впервые было обнаружено Вольфом, Хебертом и Бродером [802], однако в этом направлении не проводилось интенсивных исследований до тех пор, пока Гриммейс и Шольц [274] не сообщили о получении внешнего квантового выхода 1 5 % на светодиодах, излучающих красный свет. Фосфиду галлия уделено значительное внимание в гл. [21]

Основные материалы, на основе которых изготавливаются современные полупроводниковые излучатели, и технология их получения приведены в табл. 5.1. Здесь же приведены цвет свечения, длина волны ( Хтах), на которой интенсивность излучения максимальна, и внешний квантовый выход. Сравнение приведенных данных показывает, что мощность излучения ( квантовый выход) обычно растет с увеличением длины волны. Поэтому, если зрительное восприятие не обязательно ( невидимый диапазон излучения), используют в основном n - GaAs и GaAlAs-излучатели инфракрасного диапазона ( Ата. Для оптических линий связи, например, оптимальная передача сигнала соответствует Я 1 2 - 4 - 1 3 мкм. В СИД, предназначенных для таких линий, используются GaSb и тройные соединения на его основе. [22]

Спектральные характеристики инжекцион-ных диодов.| Конструкции излучающей ЧЕСТИ инжекци-онных диодов.| Внешний вид.| Технические данные некоторых светоизлучающих диодов ( ]. [23]

Основными достоинствами гетероструктур являются, во-первых, возможность регулирования ширины запрещенной зоны, что позволяет точно согласовать максимум спектра излучения с максимумом спектральной чувствительности фотоприемника; во-вторых, односторонняя инжекция носителей из области с большей шириной запрещенной зоны, что определяет высокий внешний квантовый выход гетеродиодов. [24]

Энергетической характеристикой светодиодов является внешний квантовый выход ( эффективность), который определяется как отношение числа излученных фотонов к числу рекомбинирующих носителей. Внешний квантовый выход, как правило, меньше внутреннего квантового выхода, что обусловлено поглощением излучения в толще полупроводника, контактах и френелевскими потерями. Для повышения внешнего квантового выхода применяются полусферические конструкции светодиодов и многослойные просветляющие покрытия. [25]

Рекомбинационные процессы в арсениде галлия, фосфиде галлия и карбиде кремния, имеющих большую ширину запрещенной зоны, сопровождаются выделением энергии в виде квантов света, которые частично поглощаются объемом полупроводника, а частично излучаются в окружающее пространство. Поэтому внешний квантовый выход, фиксируемый зрительно, всегда меньше внутреннего. [26]

Мезаструктура полупроводникового излучателя.| Полусферическая. структура полупроводникового излучателя. [27]

Это увеличивает выход света в 2 - 3 раза. Такой спосбб увеличения внешнего квантового выхода относительно прост технологически, но не позволяет полностью избежать потерь на полное внутреннее отражение. [28]

Структура светодиодов. [29]

Просветляющие покрытия увеличивают внешний квантовый выход примерно в 1 5 раза вне зависимости от структуры светодиода. Применение многослойных просветляющих покрытий позволяет повысить внешний квантовый выход, но усложняет технологию изготовления светодиодов. [30]

Страницы: 1 2 3 4