Внутренний квантовый выход

Cтраница 1

Внутренний квантовый выход будет меньше единицы, если существуют условия для поглощения носителями заряда. В этом случае энергия некоторых квантов будет расходоваться на повышение энергии носителей заряда, а не на образование новых носителей заряда. [1]

Зависимость коэффициента отражения re - InSb от длины волны в области собственной частоты колебаний плазмы для г4. 1018 ( /, 2 8 - 1018 ( 2, 1 2 - 1018 ( 3, 4 2 - К 1. ( 4, 3 5 - 1017 ( 5 см-3. [2]

Внутренний квантовый выход люминесценции во многих полупроводниках значительно меньше единицы, а иногда составляет ничтожно малую величину. Времена жизни свободных носителей также могут быть на несколько порядков меньше, чем следовало ожидать при учете только излучательных механизмов рекомбинации. Например, в чистом германии при комнатной температуре излучательное время жизни равно 0 75 сек. Однако на опыте значение т никогда не превышает 10 - 2 сек. [3]

Полученные величины внутреннего квантового выхода для све-тодиодов в видимой части спектра не превышают в большинстве случаев единиц процентов. Но и при таких значениях этой величины их излучение оказывается вполне достаточным для практического применения. [4]

Даже при высоком внутреннем квантовом выходе внешний квантовый выход светодиодов оказывается значительно ниже, так как из-за высокого показателя преломления полупроводника большая часть квантов света испытывает полное внутреннее отражение на границе раздела полупроводника с окружающим воздухом. После отражения в полупроводнике может происходить поглощение квантов света. Через границу раздела проходит лишь та небольшая доля света, которая падает на границу раздела под углом, меньшим критического угла полного внутреннего отражения фкр arc sin ( l / nr), где nr - коэффициент преломления света в полупроводнике, равный, например, 3 3 и 3 6 для фосфида и арсенида галлия соответственно. [5]

Схема излучательных переходов.| Схема оптронной Спектральный состав рекомбйнацион. [6]

Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора k ( рис. 5.4), вероятность межзонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадающими экстремумами зон ( GaAs, InAs, InSb и-др. [7]

Структуры некогерентных полупроводниковых излучателей. [8]

При использовании других полупроводниковых материалов внутренний квантовый выход составляет иногда только единицы процентов, но и при таких значениях излучение оказывается достаточным для практического использования. [9]

Значения р, /, р и а для QaAs диффузионных диодов при Т 80 К. [10]

Как уже отмечалось [628], дифференциальный внутренний квантовый выход генерации определяется в основном неоднородностью области рекомбинации и прежде всего пятнистой структурой ближнего поля. Исследования показывают, что в результате термообработки уменьшается плотность дислокаций вблизи р - - перехода. Ближнее поле становится более однородным, и генерируют некоторые новые участки активной области, которые не генерировали до термообработки. [11]

Спектральные характеристики базы и эмиттера гетероструктуры. [12]

Это и позволяет при сохранении внутреннего квантового выхода значительно повысить быстродействие двойных гетероструктур. В одинарной гетероструктуре при уменьшении ширины базы мощность излучения резко падает, а быстродействие растет незначительно. Для лучших образцов на одинарной гетероструктуре внешний квантовый выход составляет 3 - 4 %, а время переключения 40 - 80 не; двойные гетероструктуры имеют примерно такое же значение внешнего квантового выхода, а время переключения 20 - 30 не. [13]

Коэффициент полезного действия зависит от внутреннего квантового выхода и конструкции светодиодов. [14]

Зависимость внутреннего квантового выхода от плотности прямого тока. [15]

Страницы: 1 2 3