Внутренний квантовый выход

Cтраница 2

Количественно эффективность рекомбинации при люминесценции характеризуют внутренним квантовым выходом г э, который определяют отношением числа актов излуча-тельной рекомбинации к полному числу актов ( излучательной и безызлучательной) рекомбинации. [16]

Эффективность светодиода определяется прежде всего его внутренним квантовым выходом т ] вн, представляющим собой отношение числа квантов, испускаемых при рекомбинации, к чилу инжектированных неосновных носителей. Однако наряду с излучательной рекомбинацией всегда протекает процесс безызлучательной рекомбинации. [17]

Высокий ( близкий к 100 %) внутренний квантовый выход излуча-тельной рекомбинации в GaAs и твердых растворах Al Gaj As, близких по составу к GaAs [121-124], позволяет осуществлять высокоэффективное преобразование широкополосного излучения в ре-комбинационное. [18]

Коэффициент полезного действия светодиода зависит от величины внутреннего квантового выхода и от числа фотонов, поглощенных в кристалле до выхода из него. Поглощение фотонов в кристалле связано, в частности, с тем, что на границе двух сред с различными показателями преломления имеет место полное внутреннее отражение той части светового потока, угол падения которой на указанную границу превышает критический угол. [19]

Влияние температуры сводится к изменению коэффициента инжекции и внутреннего квантового выхода. [20]

Потери за счет отраже-ния и поглощения могут достигать 90 % от внутреннего квантового выхода. [21]

Энергетическая диаграмма излучающей одинарной гетероструктуры в равновесном состоянии.| Энергетическая диаграмма двойной гетероструктуры. [22]

Избыточная концентрация носителей в активной ( излучающей) области и односторонняя инжекция резко повышают внутренний квантовый выход гетероструктуры, а также ее быстродействие. [23]

Здесь уместно вспомнить, что при протекании прямого тока через р-и-переход имеет место рекомбинация электронно-дырочных пар. Внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации может увеличиваться с увеличением плотности тока, при этом интенсивность электролюминесценции ( ЭЛ) сверхлинейно зависит от тока. Однако начиная с некоторого момента устанавливается линейный рост интенсивности ЭЛ с током. Таким образом, пространственное распределение интенсивности ЭЛ по поверхности арсенид-галлиевого СЭ соответствует распределению темнового тока. [24]

Зависимость плотности порогового тока / п от обратной длины резонатора GaAs лазерного диода.| Зависимость Sr / / от длины диода при /, а / см2. 1 - 2000. 2 - 3000. [25]

Максимум кривых в соответствии с (21.19) сдвигается с увеличением плотности тока в сторону меньших длин диодов. Вероятно, в этом случае внутренний квантовый выход генерации начинает зависеть от длины диода. [26]

В самом деле, использование двойной гетероструктуры обеспечивает локализацию инжектированных носителей зарядов в базе при уменьшении ее ширины вплоть до нескольких микрометров. Это и позволяет при сохранении внутреннего квантового выхода значительно вовысить быстродействие двойных гетероструктур. В одинарной гете-роструктуре при уменьшении ширины базы мощность излучения резко падает, а быстродействие растет незначительно. Для лучших образцов на одинарной гетероструктуре внешний квантовый выход 3 - 4 %, а время переключения 40 - 80 не; двойные гетероструктуры имеют примерно такое же значение внешнего квантового выхода, а время переключения 20 - 30 не. [27]

Энергетической характеристикой светодиодов является внешний квантовый выход ( эффективность), который определяется как отношение числа излученных фотонов к числу рекомбинирующих носителей. Внешний квантовый выход, как правило, меньше внутреннего квантового выхода, что обусловлено поглощением излучения в толще полупроводника, контактах и френелевскими потерями. Для повышения внешнего квантового выхода применяются полусферические конструкции светодиодов и многослойные просветляющие покрытия. [28]

Отношение / pv / / r является функцией плотности тока / через диод и увеличивается с ее ростом. Количество излученных квантов света на каждый рекомбинировавший электрон характеризует внутренний квантовый выход диода. [29]

Частотные ха - [ IMAGE ] Спект. [30]

Страницы: 1 2 3