Cтраница 1
Ионы внешней обкладки, притянутые электрическими силами вплотную к внутренней обкладке, образуют плотный слой внешней обкладки. [1]
В результате теплового движения ионы внешней обкладки с большей кинетической энергией уходят в объем раствора. Вследствие этого в сильно разбавленных растворах создается объемный заряд, плотность которого убывает с удалением от поверхности раздела. [2]
Коагулирующие ионы вступают в обмен с ионами внешней обкладки двойного слоя. Происходит ионообменная сорбция коагулирующих ионов. И если они имеют повышенный заряд ( 2 или выше), то сильно притягиваются к внутренней обкладке, что приводит к сильному сжатию двойного слоя и к уменьшению С-потенциала. Это и открывает возможность для слипания частиц. Электролит с одновалентным ионом-коагулятором имеет высокий порог коагуляции, потому что он гораздо слабее влияет на снижение С-потенциала. Золи с разноименным зарядом частиц при сливании друг с друом коагулируют. Высаливание давно используется в различных производственных процессах, например в осаждении мыла поваренной солью. [3]
Коагулирующие ионы вступают в обмен с ионами внешней обкладки двойного слоя. Происходит ионообменная сорбция коагулирующих ионов. И если они имеют повышенный заряд ( 2 или выше), то сильно притягиваются к внутренней обкладке, что приводит к сильному сжатию двойного слоя и к уменьшению - потенциала. Это и открывает возможность для слипания частиц. Электролит с однозарядным ионом-коагулятором имеет высокий порог коагуляции, потому что он гораздо слабее влияет на снижение - потенциала. Золи с разноименным зарядом частиц при слипании друг с другом коагулируют. Высаливание давно используется в различных производственных процессах, например в осаждении мыла поваренной солью. [4]
![]() |
Распределение потенциала в двойном электрическом поле. [5] |
Интегрирование от d до оо включает все ионы внешней обкладки. [6]
Отрицательно заряженная частица вместе с плотным слоем ионов внешней обкладки приобретает направленное движение в сторону положительного полюса, тогда как ионная атмосфера ( диффузный слой) перемещается в противоположном направлении. При выборе системы координат, неподвижно связанной с частицей, получается картина, принципиально идентичная электроосмосу, и, следовательно, уравнение ( XII. [7]
Отрицательно заряженная частица вместе1 с плотным слоем ионов внешней обкладки приобретает направленное движение в сторону положительного полюса, тогда как ионная атмосфера ( диффузный слой) перемещается в противоположном направлении. [8]
Наряду с этим, благодаря молекулярному тепловому движению, часть ионов внешней обкладки, обладающих большей кинетической энергией, преодолевает потенциальную энергию поля и уходит в объем раствора. [9]
Независимость величины Ks от концентрации раствора свидетельствует о том, что поверхностная проводимость обусловливается всеми ионами внешней обкладки двойного слоя. [10]
Независимость величины Ks от концентрации раствора свидетельствует о том, что поверхностная проводимость обусловливается всеми ионами внешней обкладки двойного слоя. [11]
Чтобы скачок потенциала на границе капля - раствор оставался все в емя постоянным, необходимо, чтобы конвективный ток ионов внешней обкладки двойного слоя, переносимых движущейся жидкостью вдоль поверхности капли, был равен этому электрическому, току. [12]
Однако в отсутствие специфической адсорбции, при Ф 0 и Ф О, выражение для r) i не обращается в нуль и, как справедливо отмечает Фрумкин i [13], ионы первого слоя учитываются дважды ( поскольку в диффузный слой Гун входят все ионы внешней обкладки, за исключением специфически адсорбированных. [13]
Обычно принимается, что внешняя обкладка гельмгольцевского двойного слоя неразрывно связана с поверхностью металла, Однако можно было бы предполагать, что на поверхности металла имеется слой адсорбированных молекул, выполняющих роль прокладки в двойном слое и поддерживающих постоянным расстояние между поверхностью металла и ионами внешней обкладки, так что последние сохраняют свою подвижность. Независимо от реальности такого допущения, мы используем здесь простейшую модель гельмгольцевского слоя для выяснения электрокинетического поведения металлических частиц, так как она позволяет лучше всего иллюстрировать имеющиеся здесь соотношения. [14]
Разделение заряда на компоненты, отвечающие специфической адсорбции и электрическому взаимодействию, целесообразно проводить при высоких значениях Ф - 3 z - ifi - Однако в отсутствие специфической адсорбции, при Ф 0 и Ф 0, выражение для r) i не обращается в нуль и, как справедливо отмечает Фрумкин [13], ионы первого слоя учитываются дважды, ( поскольку в диффузный слой Гун входят все ионы внешней обкладки, за исключением специфически адсорбированных. [15]