Cтраница 1
Вычисление ширины резонансной кривой, выполненное Гешвиндом и Клогстоном [7], основано на представлении о статистическом распределении магнитных не-однородностей с пространственным периодом, большим по сравнению с атомными размерами, но малым по сравнению с размерами образца. Эта теория также предсказывает довольно сильную частотную зависимость ширины кривой в диапазоне от 9300 до 3000 мггц. [1]
Вычисление ширины распада Га проще всего провести на квантовом языке, как это было сделано в конце раздела 8.5. Квантовое вычисление почти буквально переносится на интересующий нас шгучай, с тем отличием ( кроме обозначений) что фигурирующий в (8.68) интеграл берется по четырехмерному, а не по двумерному пространству. [2]
При вычислении ширины текста вызывается функция CDC: : GetLength для получения длины каждой строки. [3]
Таким образом вычисление ширины сведено к выяснению вопроса о разрешимости конечного числа квадратичных уравнений в свободных группах. [4]
Подобным образом поступим при вычислении ширины зоны испускания плоского слоя. Зона испускания является суммой отдельных полос вблизи центра каждой линии, и нашей задачей здесь является определение ширины отдельной полосы в окрестности заданной линии. [5]
Все вычисления делаются аналогично проведенным выше вычислениям ширины линии, так как мнимая часть выражения (4.7) при правильном способе обхода полюсов есть как раз выражение для V; - ширины линии. [6]
Предлагаемый метод нахождения Гтах в некоторых благоприятных случаях может быть использован для ориентировочных вычислений ширин К - и L-уровней атомов. [7]
В связи с этим утверждением, в [74] поставлена задача нахождения способа вычисления ширины элементов в свободных группах. Так как эта задача родственна вопросу о разрешимости квадратичных уравнений в свободных группах, то, естественно, при ее решении оказалась полезной техника, развитая для квадратичных уравнений в свободных группах. [8]
Тем не менее в первом случае функция h может оказаться существенной при вычислении ширины линии циклотронного резонанса; а знание функции g во втором случае необходимо при исследовании слабых эффектов поглощения электромагнитных волн в плазме. [9]
Кроме того, член потерь, пропорциональный, не входит прямо в коэффициент диффузии. Это упрощение будет использовано при вычислении ширины линии излучения лазера в более сложных лазерных системах, таких как в гл. [10]
Схема установки модели анализатора спектра. [11] |
Из выражения (10.2.20) с учетом (10.2.1) следует несколько интересных моментов. Таким образом, имеется простой способ вычисления ширины линий. [12]
Здесь будет описан альтернативный подход к вычислению ширины линии излучения лазера, основанный на вычислении недиагональных элементов приведенной матрицы плотности поля. [13]
Возникновение доменной структуры в сегнетоэлектрической пластине в условиях градиента температуры. [14] |
Результат влияния неоднородного охлаждения на доменную структуру легко предсказать, если заметить, что в неоднородно охлаждаемом образце уменьшается объем части материала, претерпевающей фазовый переход в момент зарождения доменной структуры. С точки зрения расчетов это означает, что при вычислении ширины домена в формулу (1.14) здесь необходимо подставлять не толщину образца I /, а толщину слоя, испытывающего фазовое превращение. [15]