Cтраница 3
На образцах кремния 110, ориентированных относительно пучка с точностью О, Г, вероятность канали-рования с ростом энергии ионов возрастает, а с увеличением дозы облучения - падает. При углах разориен-тации ионов и мишени около 8 профили распределения меняются очень слабо. На рис. 9 - 6 и 9 - 7 показаны примеры влияния некоторых технологических факторов на распределение ионов фосфора в кремнии. Профиль распределения концентрации ионов фосфора, внедренных с энергией 1 6 - Ю-13 Дж ( рис. 9 - 8), указывает на то-что полученные пробеги близки к теоретическим значениям. [31]
При меньшем количестве расплава в системах с ZnO, CdO и РЬО могут быть приготовлены стекла со значительно большим содержанием модификатора. Во всех системах области стеклообразования непрерывны; в них нет областей стабильного расслаивания. Дит-цель [15] объяснил отсутствие расслаивания в фосфатных системах тем, что связи Р - О более прочны по сравнению со связями В-О и Si-О. Используя теорию расслаивания Пинкуса - Уоррена ( гл. Координация иона фосфора настолько консервативна, что координационное число сохраняется даже тогда, когда модифицирующие катионы имеют невыгодное окружение. [32]
На образцах кремния 110, ориентированных относительно пучка с точностью О, Г, вероятность канали-рования с ростом энергии ионов возрастает, а с увеличением дозы облучения - падает. При углах разориен-тации ионов и мишени около 8 профили распределения меняются очень слабо. На рис. 9 - 6 и 9 - 7 показаны примеры влияния некоторых технологических факторов на распределение ионов фосфора в кремнии. Профиль распределения концентрации ионов фосфора, внедренных с энергией 1 6 - Ю-13 Дж ( рис. 9 - 8), указывает на то-что полученные пробеги близки к теоретическим значениям. [33]