Ион - редкоземельный элемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
В истоке каждой ошибки, за которую вы ругаете компьютер, вы найдете, по меньшей мере, две человеческие ошибки, включая саму ругань. Законы Мерфи (еще...)

Ион - редкоземельный элемент

Cтраница 1


1 Спектр ЭПР водного раствора Мо ( СМ з при комнатной температуре. [1]

Ионы редкоземельных элементов отличаются от ионов ( 3, 4, 5) dn очень слабым взаимодействием с кристаллическим полем.  [2]

Ионы редкоземельного элемента расположены в центре куба с плотной упаковкой из восьми ионов кислорода.  [3]

4 Зависимость растворимости осадков от избытка осадителя. 4. [4]

Ионы редкоземельных элементов и тория обычно осаждаются в виде труднорастворимых оксалатов.  [5]

Ионы редкоземельных элементов катализируют выжигание кокса: кокс на цеолите воспламеняется при температуре, которая приблизительно на 110 С ниже, чем температура воспламенения кокса на матрице без цеолита.  [6]

Ионы редкоземельных элементов и тория обычно осаждаются в виде труднорастворимых оксалатов. Растворимость в воде щавелевокислого тория, а также церия, лантана и других редкоземельных элементов настолько мала, что они не растворяются даже при довольно большой кислотности раствора, хотя, как известно, оксалаты кальция, бария, серебра и других металлов довольно легко растворимы в кислотах. Тем не менее для осаждения ионов редкоземельных элементов в виде оксалатов необходимо применять в качестве осадителя только слабо диссоциирующую щавелевую кислоту.  [7]

Все ионы редкоземельных элементов, включая иттрий и скандий, образуют комплексы типа обсуждавшихся в предыдущей главе. Хе-ринг и позднее Хаупт [ 115а ] исследовали ряд других ионов редкоземельных элементов ( и скандий) и нашли подтверждение обсуждавшимся выше закономерностям.  [8]

Валентность ионов редкоземельных элементов определяют экспериментально разл. Простейший хетод основан на том, что ионы с разной валентностью имеют разные ионные радиусы ( см. Атомный радиус), в соответствующие кристаллы будут иметь разные значения параметра решетки а.  [9]

У ионов редкоземельных элементов ( РЗЭ) с ростом порядкового номера наблюдается уменьшение ионного радиуса, так как заряд ядра увеличивается, а количество электронных оболочек не возрастает.  [10]

11 Относительные величины ионных радиусов химических элементов. [11]

Радиусы ионов редкоземельных элементов равномерно уменьшаются от La3 l 04 до Lu3 0 80, несмотря на возрастание порядкового номера.  [12]

Для ионов редкоземельных элементов ситуация иная. Электроны, определяющие магнитные свойства, занимают 4 / - орбитали, которые эффективно экранированы от электростатического поля или связывающих эффектов лигандов. Общий подход к интерпретации спектров ЭПР ионов редкоземельных элементов разделяется на две стадии. Прежде всего характеризуют 4 / - электроны свободного иона результирующим угловым моментом L и результирующим спиновым моментом S и находят электронную конфигурацию иона в отсутствие спин-орбитального взаимодействия. L и S, в результате которой возникают далеко отстоящие друг от друга мультиплеты с различными значениями общего углового момента.  [13]

Парамагнетизм ионов редкоземельных элементов обусловлен частично заполненным / - подуровнем, роль орбитальных моментов велика и поэтому уравнение (5.10) непригодно. Уравнение (5.8) дает довольно близкую оценку цэфф 3 58 цв, тогда как (5.10) предсказывает 2 83 цв.  [14]

Спектры ионов редкоземельных элементов, наблюдающиеся при абсорбции или при флюоресценции, содержат линии, которые могут быть приблизительно разделены на четыре основных класса: 1) сильные резкие линии, встречающиеся в виде широко расставленных групп; 2) слабые резкие линии, часто встречающиеся как сателлиты с фиолетовой стороны сильных линий; 3) слабые диффузные линии, обычно лежащие также с фиолетовой стороны сильных резких линий; 4) сильные диффузные полосы в ультрафиолете, не обнаруживающие структуры. Энергия излучения, как известно, подтверждает факт перехода электронов с одного энергетического уровня на другой. Предполагается, что сильные резкие линии обычно соответствуют чисто электронным переходам, тогда как слабые линии обычно возникают при наложении других энергетических уровней на электронные. В дальнейшем будут рассмотрены только линии первого класса, слабые же линии в данный момент игнорируются.  [15]



Страницы:      1    2    3    4