Диффундирующий ион

Cтраница 3

Наблюдаемые отклонения связаны с тем, что при описании кинетики ионного обмена не учитываются структура полимерной матрицы и многообразие форм и состояний диффундирующего иона. Неоднородность структуры полимерной сетки проявляется в изломе кинетических кривых, что вызвано различием коэффициентов диффузии на участках с различной плотностью упаковки. [31]

При исследовании электропереноса ионов в поперечном поле Холла [867, 868] проявление электронного ветра в принципе исключается, что существенно облегчает задачу определения зарядности диффундирующих ионов. [32]

Проницаемость ионообменной смолы определяется второй стадией процесса, зависящей от величины сорбции ионов и коэффи-ииснта диффузии, который в свою очередь определяется размером диффундирующего иона и сопротивлением среды. Коэффициенты диффузии вытесняемого и вытесняющего иона, а также первая и пятая стадии процесса определяют кинетику процесса ионного обмена. Величина сорбции ионов смолой зависит от сродства иона к смоле и степени ее набухания и определяет динамику или статику ионного обмена. Таким образом, проницаемость ионообменной смолы зависит от статики и кинетики обмена; и то и другое зависит от степени набухания. [33]

Проницаемость ионообменной смолы определяется второй стадией процесса, зависящей от величины сорбции ионов и коэффициента диффузии, который в свою очередь определяется размером диффундирующего иона и сопротивлением среды. Коэффициенты диффузии вытесняемого и вытесняющего иона, а также первая и пятая стадии процесса определяют кинетику процесса ионного обмена. Величина сорбции ионов смолой зависит от сродства иона к смоле и степени ее набухания и определяет динамику или статику ионного обмена. Таким образом, проницаемость ионообменной смолы зависит от статики и кинетики обмена; и то и другое зависит от степени набухания. [34]

Диффузионный ток, как видно из ( 4), прямо пропорционален градиенту концентрации, величине коэффициента диффузии и обратно пропорционален величине пути диффундирующих ионов. Коэффициент диффузии [151 ] увеличивается с ростом температуры по экспоненциальной зависимости. Определенное влияние на величину коэффициента диффузии оказывает и природа ионов. Диффузионный ток наблюдается при ЭХО, как правило, лишь в приэлектродных слоях электролита. [35]

Влияние внутреннего электрического поля на диффузию различных примесей в Ge экспериментально исследовано в [871-876], где показано, что при противоположно направленных градиентах доноров внутреннее поле Е ускоряет перемещение диффундирующих ионов в Ge, тогда как в случае одинаково у. [38]

ДВБ при температурах ниже 75 С); наоборот, незначительному уменьшению упругости зерен ионита по мере перехода его из одной формы в другую соответствует незначительное уменьшение проницаемости ионита по отношению к диффундирующим ионам. [39]

Трехкамерный электродиализатор.| Пятикамерцый электродиализатор. [40]

Ранее проведенными работами [2] показано, что при электродиализе по мере накопления примесей в боковых камерах возникает процесс обратной диффузии их в среднюю камеру вплоть до установления равновесия, пока количества переносимых и обратно диффундирующих ионов не станут равны. При этом cjc х, KE, где с и сг - соответственно концентрации в средней и боковой камерах; Е - приложенная разность потенциалов. [41]

Общая кривая равновесия при обмене ионов с одинаковой валентностью.| Общая кривая равновесия при обмене двухвалентного ио а на одновалентный. [42]

Бауман и Эйхорн [3] показали, что уравнения ( 2) и ( 4) становятся эквивалентными, если ионит и жидкая фаза разделены полупроницаемой мембраной, которая ограничивает диффузию активных групп ионита, причем к диффундирующим ионам применим принцип доннановского равновесия. [43]

Механизмы гетеродиффузии вещества А по подложке В. [44]

В процессах поверхностной диффузии большую роль играют активные центры сорбции и различные структурные дефекты поверхности [125], в частности существенное влияние на кинетику диффузии оказывают выходы дислокаций на поверхность кристаллов и поверхностные трещины, являющиеся местами скоплений диффундирующих ионов. [45]

Страницы: 1 2 3 4