Cтраница 1
Междоузельный ион движется в сталле, переходя из одного междоузельного положения в другое; ва - кансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и вакансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. [1]
Вакансии и междоузельные ионы каждого сорта частиц электрически заряжены, но они могут проникать в нейтральные дислокации. [2]
Высказывались предположения, что междоузельные ионы цинка в ZnO могут быть одно -, а не двухвалентными. [3]
При увеличении температуры число междоузельных ионов и вакансий в кристалле растет. С ростом числа дефектов растет и энергия коллективных взаимодействий. Одновременно уменьшается энергия образования следующих дефектов. Выше некоторой критическрй температуры происходит лавинообразный переход ионов в междоузлия. Такую ионную подрешетку можно рассматривать как единую взаимосвязанную систему, подобие ионной жидкости, которая обеспечивает высокую электропроводность. [4]
Когда эмульсия нагревается до достаточной температуры, междоузельные ионы серебра снова становятся подвижными и нейтрализуют фотоэлектроны, захваченные глубокими ловушками. [5]
Общая теория рассматривает действие обоих дефектов - междоузельных ионов серебра и узлов, не заполненных ионами галоида и металлического серебра. Скопление F-центров выше определенного критического размера становится способным присоединять к себе дырку, освобожденную при ионизации, а затем благодаря положительному заряду дырки может служить в качестве скрытого изображения, способного к захвату электронов от проявителя. Образование внутреннего скрытого изображения является естественным следствием этого механизма; в рамках первоначальной теории это было бы трудно объяснить. [6]
При температуре - 186 фотоэлектроны сохраняют свою подвижность, а междоузельные ионы серебра и пустые анионные или катионные узлы во время освещения остаются неподвижными. [7]
![]() |
Влияние ассоциации ионов на. [8] |
Ионами, обычно способными § к диффузии, являются под - вижные междоузельные ионы а 1П а ( например, Си - в Ge), кото - рые, соединяясь с ваканси - & ями ( Cut - - V C is) становятся s § неподвижными. Аналогия с ассоциацией ионов в пары здесь очевидна, и поэтому математическое описание подобно. [9]
Подобное окисление через окислы р-типа сопровождается диффузией либо катионных вакансий, либо междоузельных ионов кислорода по направлению к поверхности раздела. [10]
![]() |
Форма потенциальных ям с одним ( а, двумя ( б. [11] |
Потенциальная яма ограничена достаточно высокими ( бесконечно высокими) стенками, препятствующими полному отрыву междоузельного иона от ионной вакансии. [12]
Случай, когда о - Если 3 go, то можно полагать, что концентрация междоузельных ионов должна быть равна концентрации электронов по всему объему окисного слоя. [13]
Мы принимаем, что эти неглубокие ловушки теряют значительную часть захваченных ими фотоэлектронов еще до того, как междоузельные ионы успеют их нейтрализовать. В этом случае образуется весьма небольшое количество глубинного скрытого изображения или же оно совершенно отсутствует, что подтверждается описанными выше опытами. [14]
![]() |
Хлористый натрий как пример ионного. [15] |