Междоузельный ион
Cтраница 2
Шоттки [51] и Иост [52] допускают возможность того, что эквивалентное число анионов и катионов отсутствует в узлах решетки, а число междоузельных ионов пренебрежимо мало. Эта модель, по всей вероятности, приложима к галогенидам щелочных металлов. [16]
Если оксид обладает ионной проводимостью, то из имеющихся представлений можно сделать вывод, что ионная проводимость связана с движением дефектов в кристаллической решетке, которыми могут быть катионные и анионные вакансии и междоузельные ионы. Предположим, что возможно движение междоузельных ионов. Здесь следует обратить внимание на два допущения, используемые при теоретическом рассмотрении. [18]
Такое относительное расположение энергетических уровней не позволяет осуществить передачу электрона от красителя в зону проводимости, и он склоняется к передаче энергии от возбужденного красителя к электронам, прилипшим на локальных уровнях, образованных междоузельными ионами брома, локализованными на дефектах. Мотт принимает, что время жизни возбужденного состояния адсорбированной молекулы красителя - порядка 10 - 8 сек. [19]
 |
Решетка с дефектами по Френкелю ( а и дефектами по Шоттки. [20] |
Дгфекты по Френкелю состоят в наличии вакансий и междоузель-ных ионо в в эквивалентных соотношениях. Междоузельный ион движется в кристалле, переходя из одного междоузельного положения в другое; вакансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и вакансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. Как правило, дефекты по Френкелю образуют в кристалле ионы лишь одного рода, тогда как ионы другого рода прочно удерживаются в узлах; выход их в междоузлия практически исключен. [21]
При образовании дефекта по Френкелю ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуации, покидают свои правильные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии в решетке. Междоузельный ион и вакансия теряют связь друг с другом и свободно движутся в кристалле; первый по междоузлиям, вторая по своей подрешетке. При встрече междоузельные ионы и вакансии могут рекомбиниро-вать друг с другом. [22]
Междоузельный ион движется в сталле, переходя из одного междоузельного положения в другое; ва - кансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и вакансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. [23]
Если оксид обладает ионной проводимостью, то из имеющихся представлений можно сделать вывод, что ионная проводимость связана с движением дефектов в кристаллической решетке, которыми могут быть катионные и анионные вакансии и междоузельные ионы. Предположим, что возможно движение междоузельных ионов. Здесь следует обратить внимание на два допущения, используемые при теоретическом рассмотрении. [24]
При избытке атомов свинца по сравнению со стехиометрическим составом образование дефектов происходит по Френкелю. При этом в качестве доноров выступают междоузельные ионы свинца. [25]
Центры скрытого изображения, образовавшиеся по механизму ( 1), служат ловушками для фотоэлектронов, освобождающихся при нагревании внутри микрокристалла. После захвата фотоэлектронов такая ловушка нейтрализуется междоузельными ионами серебра или вакантными анионными узлами, после чего весь процесс повторяется. [26]
Один из предложенных механизмов предусматривает бимолекулярную агрегацию междоузельных ионов бария, образующихся с постоянной скоростью в результате поверхностного разложения. Возражения против этой теории были детально рассмотрены Томасом и Томп-кинсом [36], и мы не будем говорить о них здесь; заметим лишь, что энергии образования и диффузии таких частиц оказываются слишком высокими. [27]
Наличием дефектов обусловлена ионная проводимость кристалла. В случае дефектов по Френкелю электричество переносится при движении вакансий и междоузельных ионов, причем в этом процессе обычно участвует ион лишь одного знака. [28]
При нормальных температурах обычно принимают следующую схему образования поверхностного и внутреннего скрытых изображений. Поверхностное изображение образуется в результате приближения вакантных анионных узлов ( Митчелл) или междоузельных ионов серебра ( Мотт, Митчелл) к центрам светочувствительности, захватившим фотоэлектроны. Внутреннее скрытое изображение, согласно Ото [6], образуется в результате приближения междоузельных ионов серебра к внутренним ловушкам, приобретшим отрицательный заряд путем захвата фотоэлектронов. [29]
Кристаллические мембраны, разработанные на основе твердых электролитов, обладают чрезвычайно высокой селективностью по отношению к определенным ионам, что дает большие преимущества перед жидкими мембранами. Действительно, перенос ионов в кристалле происходит за счет дефектов кристаллической решетки - вакансий и междоузельных ионов. Вакансия идеально соответствует только определенному иону в отношении размера, формы и распределения заряда. Поэтому, занятие ее допустимо только определенным подвижным ионом. Все другие ионы не в состоянии перемещаться в кристалле и не могут внести свой вклад в процесс переноса заряда. Ниже приведены некоторые соединения, которые используются в качестве твердотельных мембран. [30]
Страницы: 1 2 3 4