Соседний ион
Cтраница 2
Связи N - - C соседних ионов CH3NH одного слоя направлены в противоположные стороны. Несоответствие собственной симметрии катионов ( при учете атомов Н) и симметрии их положения в кристалле указывает на свободное вращение вокруг связи С - N ( оси 4) или на неупорядоченность расположения в отношении поворота вокруг этой связи. [16]
Индуцированный дипольный момент р пары соседних ионов противоположного знака равен ег. [17]
Каждый ион Си окружен двумя ближайшими соседними ионами Си, расположенными вдоль оси с на одинаковом расстоянии 0 61 нм от центрального. [18]
Энергея активации определяется расстоянием между ближайшими соседними ионами ванадия. В исследованных нами стеклах воторой и третий компоненты стекла, по-видимому, не изменяют валентного состояния ванадия, а следовательно, не оказывают влияния на число и знак носителей заряда. Их роль сводится только к затруднению обмена электронами между ионами ванадия. По гипотезе Фервея, большое влияние оказывает ион, находящийся в одинаковом кристаллографическом положении с ионом переходного металла. [19]
В электростатическом приближении ( влияние зарядов соседних ионов) константа квадрупольного взаимодействия для октаэдрических комплексов должна быть равна нулю. Для объяснения наблюдаемых величин ezQq необходимо предположить частично ковалентный характер связи в этих комплексах. [20]
При адсорбции на знакопеременной поверхности влияние соседних ионов уменьшает величину Фс. Однако имеются случаи, когда на поверхности выдвинуты вперед ионы одного знака. В таких случаях ( рис. XVIII, 5) формула ( XVIII, 21) представляет хорошее приближение. Энергия Фс может составить несколько ккал / моль. [21]
При адсорбции на знакопеременной поверхности влияние соседних ионов уменьшает величину Фс. Однако имеются случаи, когда на поверхности выдвинуты вперед ионы одного знака. В таких случаях ( рис. XVIII, 5) формула ( XVIII, 21) представляет хорошее приближение. Энергия Фс может составить несколько ккал / моль. [22]
При адсорбции на знакопеременной поверхности влияние соседних ионов уменьшает величину Фс. Однако имеются случаи, когда на поверхности выдвинуты вперед ионы одного знака. В таких случаях ( рис. XVIII, 5) формула ( XVIII, 21) представляет хорошее приближение. Энергия Фс может составить несколько ккал. [23]
 |
Кристаллическая ре-шетка хлористого натрия.| Элемент кристаллической решетки алмаза. [24] |
Найдено, что расстояние между центрами соседних ионов Na и С1 - 2 81 А. [25]
Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Так, полосы или зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [26]
Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Гак, полосы пли зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [27]
Комплексный анион связан водородными связями с соседними ионами аммония и молекулами воды. С некоординированными атомами кислорода глицилглицината ионы NH4 образуют четыре связи: две длиной 2 79 и две 2 85 А. [28]
Каждый ион в решетке NaCl окружен шестью соседними ионами противоположных знаков. [29]
Лшпний электрон иона Fe2 может перескочить на соседний ион Fe3 и таким способом перемещаться по кристаллу. В этом случае введение в N10 небольшого количества одновалентной примеси оказывается достаточным для получения образцов с низким сопротивлением. [30]
Страницы: 1 2 3 4