Cтраница 3
А имеет значение 2 для невырожденного и 3.3 для вырожденного электронного газа. [31]
Напротив, температурная зависимость подвижности носителей тока в образцах с сильно вырожденным электронным газом целиком определяется ростом интенсивности тепловых колебаний р ( Т), так как в этом случае энергия электронов не зависит от температуры. [32]
Как видно из полученной выше формулы для экранированного кулоновского потенциала, вырожденный электронный газ, с которым мы имеем дело, например, в простом металле, характеризуется некоторой длиной экранирования порядка 1 А. [33]
До температуры снятия вырождения электрические свойства переходных форм углерода определяются свойствами вырожденного электронного газа. В материалах, прошедших - обжиг ниже 2070, термосила увеличивается по абсолютной величине почти прямо пропорционально температуре измерения ( рис. Г), что характерно для веществ с вырожденным состоянием носителей тока. [34]
Если мы хотим применить ( 6 17) для вычисления свойств вырожденного электронного газа, то мы должны считать, что число N в этой формуле равно числу электронов п, находящихся в полосе энергий шириной порядка энергии теплового движения. [35]
Из двух последних вариантов в физике НТП в основном приходится сталкиваться со случаем вырожденного электронного газа. [36]
Вычислить температуру идеального газа, средняя энергия частиц которого равна средней энергии полностью вырожденного электронного газа меди. Считать, что на каждый атом приходится один свободный электрон. [37]
Несомненно, что силы, действующие между ионами калия, рубидия и вырожденным электронным газом в сплавах калия с рубидием, резко отличаются от сил, действующих между молекулами пальмитиновой кислоты и олеиновой кислоты. То же можно сказать о растворах кадмий-олово и бензол-сероуглерод и многих других. [38]
Физически спадающая к центру частицы осциллирующая поверхностная релаксация связана с фриделевскими осцилля-циями плотности вырожденного электронного газа, которые вызываются любыми дефектами, нарушающими трансляционную симметрию кристалла; в данном случае таким двумерным дефектом является поверхность. Фриделевские осцилляции передаются решетке через электрон-фононное взаимодействие и приводят к изменению межплоскостных расстояний. Согласно [88] в модели свободных электронов амплитуда фриделевских осцилляции убывает по мере удаления от поверности. Необходимо заметить, что в зависимости от параметров решетки и размера кристалла поверхностная релаксация может не только уменьшать, но и увеличивать его объем. [39]
В самом общем случае, применимом как для невырожденного, так и для вырожденного электронного газа в полупроводниках, формулы для вычисления термоэлектрических свойств могут быть записаны следующим образом. [40]
Чтобы формулы были достаточно простыми, в обоих предельных случаях - невырожденного и сильно вырожденного электронного газа - будем удерживать в интерполяционных формулах по два члена. [41]
В рамках линейной теории легко вычислить потенциальную энергию взаимодействия двух зарядов, помещенных в вырожденный электронный газ. Надо лишь считать, что один из них находится в поле, созданном другим вместе с экранирующим его электронным облаком. Поскольку потенциал, созданный экранированным зарядом, испытывает фриделевские осцилляции ( разд. [42]
В этом приложении излагается простая теория экранирования пробного положительного заряда Ze, помещенного в вырожденный электронный газ. [43]
Энергетическая невыгодность такого процесса при достаточно больших плотностях вещества с избытком компенсируется уменьшением энергии вырожденного электронного газа вследствие уменьшения числа электронов. [44]
На рис. 7.5, а показаны теоретические зависимости подвижности от температуры в полупроводнике для невырожденного и вырожденного электронного газа, а на рис. 7.5, б - экспериментальные кривые для кремния, содержащего различное количество легирующей примеси. Из рис. 7.5 видно, что опыт в основном подтверждает выводы развитой выше простой теории. [45]