Cтраница 2
Однако противоположно заряженные ионы, образующие молекулу электролита, адсорбируются в эквивалентных количествах далеко не всегда. [16]
Эти противоположно заряженные ионы могут соединяться вследствие существующего между ними электростатического притяжения. Однако этот процесс идет лишь при достаточной концентрации раствора. Образующийся продукт называют солью. [17]
![]() |
Ионное произведение некоторых жидких веществ при 20 С. [18] |
Образование противоположно заряженных ионов из нейтральных молекул ( ионизация, самоионизация, автопротолиз) - явление, свойственное электролитам. [19]
Часть противоположно заряженных ионов калия удержится в адсорбционном слое, будучи притянута электростатическими силами к ядру ( их называют связанными про-тивоионами), остальные х свободных противоионов диф-фузно располагаются на некотором расстоянии от ядра. [20]
![]() |
Схема строения кристаллической решетки графита. [21] |
Между противоположно заряженными ионами в решетке действуют электростатические силы притяжения. В объеме кристалла каждый ион натрия окружен шестью ионами хлора и, наоборот, каждый ион хлора - шестью ионами натрия. По этой причине силы притяжения преобладают над силами отталкивания, чем и объясняется значительная прочность ионных решеток. О прочности их свидетельствуют высокие температуры плавления и малая летучесть ионных соединений. [22]
Так как противоположно заряженные ионы, находясь в непрерывном движении, притягиваются друг к другу, в растворе возникают молекулы электролита; этот обратный процесс образования молекул из ионов называется мол яр из а ц и ей. Различные ионы могут иметь и различный по величине заряд. Ионы натрия и калия несут одинарный положительный заряд, ионы м агния, кальция, меди - двойной положительный заряд, ионы алюминия - тройной положительный заряд. [23]
Так как противоположно заряженные ионы притягиваются друг к другу по закону Кулона до тех расстояний, которые допускают их диаметры2, то прочность связи должна расти с увеличением числа элементарных зарядов ( валентности) иона и с уменьшением его размера. Действительно, в ряде Н2О, H2S, H2Se и Н2Те ион Н тем легче отщепляется, чем больше радиус аниона: Н2О - очень слабая, H2S - слабая, Нг5е - умеренная и Н2Те - довольно сильная кислота. В ряде НС1, H3S, Н3Р, H4Si способность отщеплять Н падает с ростом заряда аниона: НС1 - сильная, H4S - слабая кислота, а РН3 и SiH4 не обнаруживают кислых свойств. [24]
Плотно упакованные противоположно заряженные ионы кристаллической решетки могут взаимно поляризоваться. Вследствие электростатического взаимодействия катионы деформируют электронные оболочки анионов, и наоборот. [25]
Эквивалентное количество противоположно заряженных ионов ( противоионов), находящихся в растворе, удерживается у заряженной поверхности в силу электрического притяжения. [26]
Эквивалентное количество противоположно заряженных ионов ( противоионов), находящихся в растворе, удерживается у заряженной поверхности в силу электрического притяжения. Противоионы и адсорбированные ионы решетки образуют электрический двойной слой. Противоионы не могут приблизиться к поверхности меньше, чем на определенное предельное расстояние ( внутренняя плоскость Гельмгольца [90]), которое зависит от радиуса ионов. [27]
При рекомбинации противоположно заряженных ионов могут происходить процессы, существенно влияющие на кинетику радиа-ционно-химических реакций и их энергетический выход. В главе II было показано, что эти процессы могут приводить к образованию атомов и радикалов, а также конечных продуктов реакции. Такой случай, видимо, имеет место в рассмотренной выше реакции радиационного образования озона. [28]
При рекомбинации противоположно заряженных ионов могут происходить процессы, существенно влияющие на кинетику радиационно-химических реакций и их энергетический выход. В главе II было показано, что эти процессы могут приводить к образованию атомов и радикалов, а также непосредственно конечных продуктов реакции. Такой случай, видимо, имеет место в рассмотренной выше реакции радиационного образования озона. [29]
Рекомбинация пары противоположно заряженных ионов имеет более высокую вероятность, чем рекомбинация положительного иона с электроном. Объясняется это тем, что при данной температуре газа ионы движутся менее быстро, чем электроны, и поэтому более длительное время находятся вблизи друг от друга. [30]