Галогенид-ионы

Cтраница 1

Галогенид-ионы входят в состав многих комплексных ионов, например: [ HgJj2 -, [ HgBrJ2 -, [ HgClJ2 -, tPbJ4l2 -, [ BiJJ -, [ J81 -, iBr ] -, [ JBr. [1]

Галогенид-ионы определяют методом обратного титрования. К исследуемому раствору добавляют точно отмеренный объем титрованного раствора нитрата серебра в избытке. Часть нитрата серебра вступает в реакцию с образованием осадка галогенида. Непрореагировавшее серебро оттитровывают раствором роданида до появления устойчивой красноватой окраски раствора. [2]

Галогенид-ионы вводили в раствор фона в виде соответствующих солей калия. [3]

Галогенид-ионы образуются при восстановлении галогенов. Возможность их присутствия в виде ионов, например в водном растворе, зависит от величины парциального отрицательного заряда. Присоединение электрона к атому галогена ( с образованием конфигурации s2p6) сопровождается выделением энергии, и поэтому галогенид-ионы весьма устойчивы. [4]

Галогенид-ионы можно рассматривать как корреспондирующие основания галогеноводородных кислот. Образование кова-лентной связи между основанием и протоном соответствует реакции нейтрализации. [5]

Галогенид-ионы не могут подвергаться сильному влиянию л-связей других групп и доляшы поэтому легко активироваться. Для Co ( en) 2NH3Cl2 отношение еще больше и составляет 3 7 - 10е для транс - и 1 0 - 10 для г мс-формы. [6]

Галогенид-ионы ( F -, Cl -, Вг -, 1 -) разделяют на слое силикагель - гипс. [7]

Галогенид-ионы осаждаются в результате добавления ионов серебра. Осадки собираются на фильтре, при этом регистрируется отрицательный пик, в результате уменьшения концентрации серебра, отвечающий общему содержанию галогенидов. Затем хлорид серебра селективно растворяется в гидроксиде аммония. Детектор при этом регистрирует положительный пик, высота которого пропорциональна содержанию хлорида. Содержание анионов определяется по высоте пиков по заранее построенным градуировочным графикам. Рассмотренная потокораспределительная система иллюстрирует возможность одновременного определения двух компонентов в одной пробе. [8]

Влияние адсорбции галогенид-ионов на электрокапиллярную кривую ртути в 1 н. растворах Na2S04 ( /, КС1 ( 2, KBv ( 3 и KI ( 4. [9]

Галогенид-ионы адсорбируются в области положительных значений потенциалов, когда электрод заряжен положительно. Большая способность к адсорбции ионов С1 - и легкая поляризуемость их электронных оболочек приводит к непосредственному влиянию их на электрохимические реакции. Адсорбция галогенид-ионов на металлах носит электростатический и отчасти специфический характер ( связи, близкие к ковалентным) энергия активации адсорбции из растворов у них невелика. [10]

Галогенид-ионы взаимодействуют с формой ( 172а), в результате чего образуется новый катион, в котором галогенид-ион заключен в полость молекулы бициклическо-го амина. Этот процесс включает диффузию галогенид-иона в полость бициклического амина и получил название катапиноза. Образующиеся ионные пары называются катапинатными ионами. Другие примеры комплексных ионов и ионов включения приведены в разд. [11]

Галогенид-ионы, будучи мягкими нуклеофилами, реагируют с электрофильным углеродом быстрее, чем жесткий нуклеофил - вода, поэтому избыток воды не является помехой. Таким путем можно легко получить смешанные полигалогениды. [12]

Галогенид-ионы также могут действовать как нуклеофилы по отношению к альдегидам в условиях кислотного катализа, но образующееся при этом, например, 1-гидрокси - 1-хлорпроиз-водное ( 35) очень неустойчиво; равновесие этой реакции сильно смещено в сторону исходных веществ. При применении раствора НС1 в спирте ROH могут быть получены 1-алкокси - 1-хлорсоеди-нения; например, из СН2О и МеОН получен 1-метокси - 1-хлор-метан ( а-хлордиметиловый эфир) ( 36) ( ср. [13]

Галогенид-ионы как лиганды могут выступать в качестве мостиковых груши. [14]

Галогенид-ионы можно также титровать потенциометрическим методом с ион-селективным индикаторным электродом. Если галоген в молекуле связан ковалентной связью, то необходимо провести предварительное разложение вещества или его сжигание. [15]

Страницы: 1 2 3 4