Галогениды - кремний
Cтраница 2
Галогениды кремния SiF4 могут быть получены синтезом из простых веществ. [16]
 |
Строение молекулы цианамида. VTIJ. [17] |
Известны галогениды кремния, в которых степень окисления кремния дробная, например, SimClis ( рис. 3.39) вязкая жидкость. [18]
Выделяющийся галогенид кремния вследствие его летучести уносится вместе с другими парами и газами и поглощается в аппарате с металлическим серебром вместе с галогеном. В результате данные анализа получаются искаженными. Таким путем удается одновременно количественно определять углерод, водород, кремний и галоген в кремнийорганических галогенсодержащих соединениях. [19]
Органосиланы и галогениды кремния более реакционноспособны, чем подобные соединения углерода. [20]
Относительной устойчивостью отличаются галогениды кремния. Однако водой они гидролитически разлагаются. [21]
Относительной устойчивостью отличаются галогениды кремния. Однако водой пин гидролитически разлагаются. [22]
Для получения полупроводников-требуются галогениды кремния высокой степени чистоты. В процессе очистки SiCl4 от ВС13 рекомендуется использовать адиподи-нитрил, который, вероятно, образует комплекс с треххлористым бором. Четыреххлористый кремний отделяют от комплекса перегонкой. [23]
 |
Различные способы изображения кремнекислородного тетраэдра. [24] |
Наряду с тетрагалогенидами известны галогениды кремния составов 81гаГ2га 2, где Г F, 01, Вг, I. Их называют фтор -, хлор -, бром - и иодсиланами, п принимает различные значения для разных галогенов, но не больше четырех. Существуют также смешанные галогениды кремния состава 81Х Г4 П, где X - атом водорода или другого галогена. [25]
Для получения кремнийорганических соединений в качестве исходных веществ почти всегда используют галогениды кремния, преимущественно три - и тетрахлорсиланы. Способ производства этих соединений очень прост, поэтому они стоят дешево. [26]
При неконтактном насыщении изделие находится только в газовой среде, содержащей галогенид кремния. Передача кремния через газовую фазу происходит вследствие реакций замещения, восстановления или термического разложения. При парофазовом насыщении диффузия кремния происходит в результате соударений его молекул и атомов с поверхностным слоем, на к-ром они удерживаются ( в активных центрах) неуравновешенными силами притяжения. Насыщение из паровой фазы идет медленнее, чем из газовой, отличающейся образованием атомарного кремния. Насыщение кремнием из чистого порошка через паровую фазу активно идет только в вакууме ( - 10 - 5 мм рт. ст.) при т-ро 1150 - 1350 С. При насыщении из жидкой фазы диффузия кремния происходит в результате взаимодействия жидкой фазы, содержащей кремний, или расплава его солей с насыщаемым материалом. Диффузии предшествуют реакции замещения. NaCl ( 50 %), в к-рый вводят 15 - 20 % ферросилиция ( содержащего 70 % Si) с величиной частиц 0 3 - 0 6 мм. [27]
Последней группой являются кремнийсодержащие вещества - активный кремнезем, силикатные стекла, галогениды кремния, фторсиликаты, силициды. Взаимодействуя с растворимыми стеклами, такие вещества повышают концентрацию силикат-ионов в растворе, что способствует полимеризации. [28]
По физическим свойствам ЭГ4, кроме фторидов олова и свинца, похожи на галогениды кремния, например SnCl4, как и SiCl4, бесцветная жидкость. [29]
Сенсибилизирующими свойствами обладают также кремний -, титан -, оловоорганические галогениды и просто галогениды кремния, титана, олова [24, 27], однако они менее эффективны, чем растворы хлористого олова. В качестве сенсибилизатора предложены также сернокислый титан в концентрации 0 04 - 0 06 % и 10 % раствор уксуснокислого или азотнокислого свинца. [30]
Страницы: 1 2 3 4