Гексафторид - вольфрам
Cтраница 3
Bce они разлагаются трифторидом брома с образованием тетрафтороброматов щелочных элементов. То же относится и к комплексным соединениям на основе гексафторида вольфрама. [31]
Отношение расходов SiH4 / WF6 является ключевым фактором для контроля состава осаждаемых пленок силицида вольфрама. Скорость осаждения Vd в таком режиме линейно пропорциональна расходу гексафторида вольфрама Q ( WF6) и почти не чувствительна к температуре. Реакция осаждения протекает в диффузионной области ( ограничена доставкой реагента), и степень конформности покрытия ступенек топологического рельефа ограничена углом падения газовых частиц. [32]
Если защитная пленка не образуется, то реакция взаимодействия с металлом протекает бурно. Это относится особенно к тем случаям, когда в результате реакции могут образоваться легко летучие фториды металла, такие как, например, гексафторид молибдена или гексафторид вольфрама. К сожалению, достоверные данные о поведении металлов, имеющих промежуточные свойства, в настоящее время отсутствуют. Установлено лишь, что некоторые металлы при взаимодействии с галоидофторидами воспламеняются при комнатной температуре, тогда как другие воспламеняются только при нагревании. При этом не было точно определено влияние чистоты поверхности металла и степени его раздробленности на процесс воспламенения, а также не установлена температура, при которой начинается реакция. Отсутствуют также сведения о продуктах соответствующих реакций. [33]
Командный блок хроматографа, управляющий сбором фракций, позволяет осуществить ручной и автоматический режимы работы. При автоматическом режиме работы командный прибор, управляющий электромагнитными клапанами ( ЭМК), ответственными за включение ловушек, был настроен таким образом, что ЭМК срабатывали на высоте пика гексафторида вольфрама, соответствующей 7 / 10, 1 / 3, 1 / 5 максимальной высоты пика. [34]
Из других галогенов вольфрама интересен его гексафто-рид - WFe. Гексафторид вольфрама ( или шестифтористый вольфрам) представляет собой при нормальных условиях бесцветное газообразное вещество. Температура плавления гексафторида вольфрама составляет 2 5 С, температура кипения 19 5 С. [35]
Необходимо отметить, что изменение температуры незначительно влияет на скорость осаждения и лишь при низких температурах, причем по мере увеличения парциального давления гексафторида рения эта граница сдвигается в сторону более низких температур. Следовательно, процесс осаждения рения требует небольшой энергии активации и кинетика осаждения вольфрам-рениевых сплавов определяется полностью энергией активации осаждения вольфрама. Проведенные расчеты показали, что коэффициенты диффузии гексафторидов вольфрама и рения в реакционной смеси практически совпадают. Отсюда следует вывод, что в данной температурной области скорость осаждения рения контролируется диффузией гексафторида рения к подложке, а скорость осаждения вольфрама лимитируют другие стадии процесса осаждения из газовой фазы. [36]
Так как изменение свободной энергии при высоких температурах - большая отрицательная величина, то размер зародыша г0 может быть чрезвычайно малым, вплоть до 1 - 2 атомов. Другими словами, рост вольфрамовой пленки на подложке начинается с одного атома вольфрама. Заметим, что при осаждении вольфрама данным путем водород находится на поверхности в адсорбированном состоянии. Точнее гексафторид вольфрама реагирует с атомным сорбционным соединением водорода, образованным им с соответствующим веществом подложки, например никелем. Сам гексафторид образует с никелем только молекулярное сорбционное соединение, наблюдающееся при более низких температурах. Как мы увидим ниже, реакции химической сорбции могут быть использованы для коренного изменения энергетики образования твердых тел. [37]
Из рис. 1 видно, что энергия активации осаждения вольфрам-рениевых сплавов снижается с увеличением содержания рения в сплаве. Следовательно, при совместном восстановлении вольфрама и рения процесс осаждения рения является независимым, а скорость кристаллизации вольфрама зависит от количества выделившегося рения. Это подтверждает линейная зависимость скорости осаждения рения от парциального давления гексафторида рения в газовой фазе. Такая же зависимость наблюдается при осаждении чистого вольфрама, что говорит об одинаковом характере адсорбции гексафторидов вольфрама и рения. [38]
 |
Поперечное сечение [ IMAGE ] - 3. Увеличенное изобра. [39] |
Спекание не является единственным способом получения пористого слоя, находящегося в тесном контакте с внутренней стенкой тепловой трубы. Указанная цель может быть достигнута с помощью других технологий, которые включают в себя покрытие осаждением из паровой фазы, катодное и плазменное напыление. Фирма ВВ ( английский патент 1313525) описывает процесс, известный как покрытие осаждением из паровой фазы, который был успешно применен при создании фитиля тепловой трубы. Этот процесс включает в себя покрытие внутренней поверхности тепловой трубы слоем вольфрама в результате реакции паров гексафторида вольфрама с водородом. Пористость образующегося слоя регулируется температурой покрываемой поверхности, скоростью перемещения подающего пар сопла и расстоянием от сопла до покрываемой поверхности. [40]
Из других галогенов вольфрама интересен его гексафто-рид - WFe. Гексафторид вольфрама ( или шестифтористый вольфрам) представляет собой при нормальных условиях бесцветное газообразное вещество. Температура плавления гексафторида вольфрама составляет 2 5 С, температура кипения 19 5 С. Водой гексафторид вольфрама не разлагается, а с некоторыми органическими растворителями дает окрашенные растворы. [41]
Страницы: 1 2 3