Ионизация - примесный атом
Cтраница 1
Ионизация примесного атома сдвигает электронно-дырочное равновесие в полупроводниках, что в свою очередь изменяет концентрацию дефектов, возникающих в чистом кристалле. [1]
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей. Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют полупроводником п-типа, если электропроводность обусловлена дырками - полупроводником р-типа. [2]
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей. [3]
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей. Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют полупроводником п-типа, если электропроводность обусловлена дырками - полупроводником р-типа. [4]
Возможна также ступенчатая ионизация примесных атомов. Например, электрон атома-донора переходит сначала на уровень возбуждения и затем под действием теплового движения отрывается совсем. Не исключено, что этот процесс может иметь некоторое значение в кристаллах с большой концентрацией примесей. [5]
Еа - энергия ионизации примесных атомов в отсутствие поля; А - слабо зависящая от температуры функция. [6]
Еп - энергия ионизации примесных атомов, k - постоянная Больцмана, Т - абс. В связи с этим график зависимости проводимости от обратной темп-ры представляет собой ломаную линию, наклон каждого из отрезков к-рой определяет энергию ионизации примесных атомов. Если вырождение не наступило, то произведение концентраций электронов и дырок не зависит от концентрации и св-в примесных атомов. Типичными примесями для германия и кремния являются элементы III и V групп таблицы Менделеева. [7]
Под действием приложенного напряжения происходит ионизация примесных атомов электролюминофора либо в результате тун-нелирования электронов с примесных уровней в зону проводимости ( электростатическая ионизация), либо в результате ударной ионизации в сильном электрическом поле в обедненных поверхностных слоях зерен сульфида цинка. [8]
В табл. 5.2 приведены экспериментальные значения энергии ионизации примесных атомов пятивалентных элементов в германии и кремнии. [9]
При монополярной генерации поглощение кванта света сопровождается ионизацией примесных атомов. Энергия поглощаемого фотона при этом должна быть: hv & Еп или hv AEa. Примеси с мелко залегающими уровнями при комнатной температуре почти полностью ионизированы. Поэтому монополярная генерация при примесном поглощении квантов света имеет существенное значение лишь при наличии относительно глубоко залегающих примесей. Более подробно поглощение света полупроводниками и возникающие при этом процессы образования свободных носителей заряда рассматриваются в гл. [10]
 |
Спектры поглощения сое - [ IMAGE ] - 18. Спектр поглощения фос. [11] |
Примесное поглощение, связанное с возбуждением или ионизацией примесных атомов, наблюдается в области длин волн за краем основной полосы. Положение полос примесного поглощения определяется природой примесных центров и зависит от содержания примесей в материале. Образование примесной зоны при высоком уровне легирования может привести к смещению края основной полосы в коротковолновую область спектра. Этот эффект проявляется особенно ярко в соединениях AlllBv с узкой запрещенной зоной. [12]
При монополярной генерации поглощение кванта света сопровождается ионизацией примесных атомов. Энергия поглощаемого фотона при этом должна быть: hv & Еп или hv AEa. Примеси с мелко залегающими уровнями при комнатной температуре почти полностью ионизированы. Поэтому монополярная генерация при примесном поглощении квантов света имеет существенное значение лишь при наличии относительно глубоко залегающих примесей. Более подробно поглощение света полупроводниками и возникающие при этом процессы образования свободных носителей заряда рассматриваются в гл. [13]
Величина AUnf или энергия ионизации атома примеси определяется потенциалом ионизации примесного атома и диэлектрической постоянной е вещества. [14]
 |
Распределение заряда доноров и акцепторов в переходе ( а. зависимость величины барьерной емкости от обратного напряжения ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4