Ионизация - примесный атом
Cтраница 2
Минимальная температура окружающей среды Токр мин - Она определяется возникновением ионизации примесных атомов и составляет - 60 С для любых диодов. [16]
Таким образом, область ab отвечает примесной проводимости полупроводника, возникающей вследствие ионизации примесных атомов, приводящей к появлению примесных носителей тока. [17]
 |
Зависимость электропроводности примесных полупроводников от. [18] |
Таким образом, участок ab отвечает примесной проводимости полупроводника, возникающей вследствие ионизации примесных атомов, приводящей к появлению примесных носителей заряда. [19]
А - коэффициент, слабо зависящий от температуры; А - энергия ионизации примесных атомов. [20]
 |
Волновая функция ф электрона, связанного с атомом фосфора в кремнии. [21] |
Работу отрыва электрона от донора и дырки от акцептора называют энергией активирования или энергией ионизации примесных атомов. Причина слабой связи электрона, не вошедшего в парноэлектрон-ную связь, с атомом-донором объясняется следующим образом: электрон движется около атома-донора, имеющего эффективный заряд - J - е, подобно электрону в атоме водорода. [22]
ПОЛУПРОВОДНИК ПРИМЕСНЫЙ ( addition semiconductor; semi-conducteur a additions; legierter Halbleiter) - ПП, проводимость к-рого обусловлена ионизацией примесных атомов. [23]
ПОЛУПРОВОДНИК ПРИМЕСНЫЙ ( addition semiconductor; semi-conducteur a additions; legierter Halbleiter) - ПП, проводимость к-рого обусловлена ионизацией примесных атомов. [24]
Для этих полупроводников с увеличением температуры ( при относительно малых ее значениях) концентрация основных носителей быстро возрастает по экспоненциальному закону из-за ионизации примесных атомов. [25]
Расчеты и эксперимент показывают, что в области температур от - 60 до 100 С свободные электроны возникают в основном за счет ионизации примесных атомов. [26]
В состоянии равновесия протекают компенсирующие друг друга противоположные процессы образования и уничтожения свободных носителей: генерация пар электрон - дырка и их рекомбинация, а также ионизация примесных атомов и нейтрализация ионов. В результате устанавливаются постоянные равновесные концентрации электронов и дырок. [27]
Расстояние примесных уровней от ближайшей разрешенной зоны на энергетической схеме зависит, от структуры как примесных атомов, так и атомов основного полупроводника. Это расстояние называется энергией ионизации примесных атомов. [28]
Расстояние примесных уровней от ближайшей разрешенной зоны на энергетической схеме зависит от структуры как лримесных атомов - так и атомов основного полупроводника. Это расстояние называется энергией ионизации примесных атомов. [29]
В этом случае локальные энергетические уровни расплываются, образуя примесную зону. Этот процесс сопровождается уменьшением энергии ионизации примесных атомов. Такой уровень легирования можно условно назвать средним. Относительно законов распределения носителей заряда по энергиям в примесной зоне и в разрешенных зонах в этом случае a priori ничего сказать нельзя, ибо они зависят от структуры примесной зоны и от относительного числа носителей заряда в разрешенных состояниях. [30]
Страницы: 1 2 3 4