Полупроводниковый квантовый генератор
Cтраница 1
Полупроводниковые квантовые генераторы во многом отличаются от других типов квантовых генераторов, хотя и используют тот же принцип. Самое замечательное их свойство состоит в возможности непосредственного преобразования энергии электрического тока в энергию света. [1]
Полупроводниковые квантовые генераторы с оптическим возбуждением на основе GaAs [741, 742], CdS [743, 744], InSb [745], InAs [745, 746] были созданы в 1965 г., а затем на основе CdSe [747, 748], CdSK - CdSe [749 - 751], Cd. [2]
Полупроводниковый квантовый генератор на р - n - переходе в GaAs / В. С. Багаев, Н. Г. Басов, Б. М. Вул и др. - Докл. [3]
В полупроводниковых квантовых генераторах ( ПКГ) резонатором служит сам образец, так как полупроводники характеризуются большой диэлектрической постоянной к, и отполированная граница воздух-полупроводник способна отражать около 1 / 3 излучения. Высокая монохроматичность излучения квантового генератора является следствием того, что частота кванта, возникающего при индуцированном излучении, в точности равна частоте исходного кванта, вызывающего индуцированное излучение. В табл. 1.29, приведенной по данным работы [2010], представлены основные полупроводниковые материалы, используемые для создания ПКГ, а также указаны области длин волн, в которых ПКГ работают. [4]
В табл. 2 приведены технические данные полупроводниковых квантовых генераторов, выпускаемых за рубежом. Все лазеры, перечисленные в таблице, - инжекционного типа на арсениде галлия. [5]
 |
Схема установки для оптической ориентации кристаллов. / - источник света. 2, 4-линзы. 3, 5-диафрагма. 6-белый экран. 7-образец. [6] |
В частности, для получения полупроводниковых квантовых генераторов на р - - я-переходах, в которых зеркалами резонатора обычно служат естественные грани кристалла, поверхность пластин ориентируется перпендикулярно к плоскостям, по которым легче всего получить хорошие сколы. [7]
К - Крохин заложили основы теории полупроводниковых квантовых генераторов. [8]
 |
Схема возбуждения тонких полупроводниковых пластин с помощью иижекционного лазера. [9] |
В отличие от лазеров нар - - переходах активная среда полупроводниковых квантовых генераторов с оптической накачкой пространственно однородна. [10]
Физическим институтом, Институтом физики высоких давлений и Институтом спектроскопии создан полупроводниковый квантовый генератор, частота которого перестраивается под действием высокого гидростатического давления. [11]
 |
Схема передающей части оптического дальномера с полупроводниковым ОКГ. [12] |
Одной из трудных проблем, возникающих при разработке оптического дальномера с полупроводниковым квантовым генератором, является создание генератора коротких импульсов для модуляции излучения диода. Выходное сопротивление генератора должно быть согласовано с очень низким ( 0 1 ом) сопротивлением диода. [13]
Вырожденные полупроводники используются для изготовления таких приборов, как туннельные диоды и полупроводниковые квантовые генераторы. Кроме того, они имеют важное теоретическое значение. Сильнолегированные полупроводники представляют принципиальную трудность при обычном теоретическом анализе. Действительно, большая концентрация электронов приводит к сильному взаимодействию электронов с ионом донора, к его экранированию. Экранировка поля донора приводит к уменьшению энергии ионизации вплоть до нуля, поэтому говорить о размытии уровней примеси в этом случае не имеет смысла. Для исследования сильнолегированных полупроводников необходимо использовать такие методы, как метод функций Грина. [14]
Вырожденные полупроводники используют для изготовления таких приборов, как туннельные диоды и полупроводниковые квантовые генераторы. Кроме того, они имеют важное теоретическое значение. Сильнолегированные полупроводники трудно анализировать теоретически. Действительно, большая концентрация электронов приводит к сильному взаимодействию электронов с ионом донора, к его экранированию. Экранировка поля донора приводит к уменьшению энергии ионизации вплоть до нуля, поэтому говорить о размытии уровней примеси в этом случае не имеет смысла. Для исследования сильнолегированных полупроводников необходимо использовать такие методы, как метод функции Грина. [15]
Страницы: 1 2