Полупроводниковый квантовый генератор
Cтраница 2
В брошюре в общедоступной форме изложены физические основы, принцип действия и характеристики полупроводниковых квантовых генераторов оптического диапазона. Рассмотрены особенности кон-струкции и перспективные направления технического использования полупроводниковых квантовых генераторов. [16]
 |
Схема инжекционного полупроводникового лазера. [17] |
Полупроводниковые лазеры, в которых возбуждение осуществляется при инжекции носителей через р - n - переход, получили название инжекционных ПКТ Типичным представителем этой группы полупроводниковых квантовых генераторов является лазер на р - n - переходе в арсениде галлия. Верхняя его часть представляет собой полупроводник р-типа, нижняя - n - типа, между ними имеется р - - переход. Толщина р-п-перехода 0 1 мкм, излучающий слой имеет несколько большую величину, 1 - 2 мкм, вследствие проникновения электронов и дырок через р - / г-переход в глубь кристалла. [18]
Следует указать также на работы академика С. Н. Вернова с группой физиков по изучению магнитного поля Земли и Луны, исследования Б. М. Вулла и Д. Н. Наследова, приведших к созданию полупроводниковых квантовых генераторов, труды академика В. А. Фока по квантовой теории поля. [19]
Из всех типов лазеров инжекционные полупроводниковые квантовые генераторы стоят на последнем месте по мощности генерации как в импульсном, так и в непрерывном режиме работы. Этот серьезный недостаток в некоторых случаях сводит на нет все достоинства инжекционных ПКТ и сдерживает их практическое применение. Поэтому поиски путей повышения мощности излучения полупроводниковых лазеров были и остаются одной из важнейших задач полупроводниковой квантовой электроники. [20]
Поэтому, прежде чем рассматривать собственно полупроводниковый квантовый генератор, остановимся на некоторых выводах из квантовой теории твердого тела, имеющих непосредственное отношение к работе полупроводникового ОКГ, а также рассмотрим некоторые физические свойства полупроводниковых веществ, от которых зависят как возможность создания ПКГ, так и его характеристики. [21]
В брошюре в общедоступной форме изложены физические основы, принцип действия и характеристики полупроводниковых квантовых генераторов оптического диапазона. Рассмотрены особенности кон-струкции и перспективные направления технического использования полупроводниковых квантовых генераторов. [22]
 |
Основные газы, используемые в квантовых генераторах. [23] |
В 1962 - 1963 гг. созданы принципиально новые квантовые генераторы инфракрасного излучения - генераторы с использованием в качестве активного вещества полупроводниковых материалов. Разработка таких генераторов является новым этапом в развитии квантовой электроники и инфракрасной техники. Большой вклад в развитие полупроводниковых генераторов внесен советскими учеными. В 1963 г. Б. М. Вулу, Ю. М. Попову, О. Н. Крохину, Д. Н. На-следову и др. за разработку теории и создание полупроводниковых квантовых генераторов присуждена Ленинская премия. [24]
Страницы: 1 2