Генерация - лазер
Cтраница 2
Более того, рассматривая ширину полосы генерации лазера ( 0 002нм) и длину резонатора лазера, можно рассчитать, оценив ширину линии поглощения свинца равной 0 0006 нм, что она соответствует приблизительно шести расстояниям между модами, имея всего около 20 продольных мод. Поскольку сила осциллятора этих мод значительно изменяется от импульса к импульсу и некоторые могут даже исчезнуть, это вызывает значительное изменение плотности падающего излучения по всей ширине полосы поглощения. [16]
Скорость накачки Р после достижения порога генерации лазера в течение процесса формирования импульсов может считаться постоянной, так как этот процесс протекает за малое по сравнению с длительностью накачки время. [17]
 |
Модуль степени пространственной когерентности излучения твердотельного лазера для N поперечных мод. 1 - для 2V 830. a - для N 10. [18] |
O) l в одночастотаом режиме генерации лазера ЛГ-Jjis ( Л, - 633 им): точки - экспериментальные данные, кривая - теоретическая. [19]
Пороговая мощность накачки, при которой начинается генерация лазера, складывается жз критической мощности накачки и накачки, идущей на преодоление потерь света в резонаторе. Критическая мощность накачки зависит только от температуры активной среды и при ее постоянстве также постоянна. Другой вид накачки зависит от состава и качества элементов резонатора, от термооптических неоднородностей активной среды и может меняться в широких пределах. [20]
Как мы видели в предыдущих разделах, генерация лазеров на четы-рехволновом смешении в ряде случаев может быть невырожденной. Возникающая разность частот легко может измеряться с высокой точностью ( до 10 - 3 Гц) методом биений. Это открывает новые возможности измерения различных физических параметров, влияющих на частоту генерации, с помощью измерений в спектральной области. [21]
 |
Оптическая схема устройства для бистабильной генерации на трех ФРК-лазерах с общим нелинейным элементом НЭ. [22] |
При внесении экрана Э2 в этих условиях генерация лазера 2, естественно, прекращается ( 72 - 0), / РС резко уменьшается, а интенсивность Ii возрастает. [23]
Выше неоднократно подчеркивалось значение резонатора для самовозбуждения генерации лазера. Генерация начинает развиваться, как только инверсная заселенность примет пороговое значение, определяемое потерями энергии в резонаторе. Поэтому целесообразно иметь большие потери на первом этапе освещения кристалла с тем, чтобы задержать начало развития генерации и накопить в освещенном кристалле более высокую концентрацию возбужденных ионов хрома. Можно расположить перпендикулярно пучку только одно зеркало, а другое зеркало или призму полного отражения ( рис. 40.9) вводить в рабочее положение лишь после того, как будет достигнута высокая инверсная заселенность. [24]
Выше неоднократно подчеркивалось значение резонатора для самовозбуждения генерации лазера. [25]
Мощность и длительность излучения зависит от режимов генерации лазеров. Непрерывная, или стационарная, генерация используется преимущественно в газовых лазерах. [26]
 |
Структура полупроводникового лазера. [27] |
Так как время жизни носителей в режиме генерации лазера очень мало ( - 10 - 13 с), то частота модуляции может быть очень высокой. Это свойство полупроводниковых лазеров в сочетании с их микроминиатюр-иостыо делает возможным разработку на их основе сверхбыстродействующих счетно-решающих машин и устройств. [28]
Для оценки КПД лазера необходимо выразить мощность генерации лазера через электрическую мощность накачки, потребляемую лазером. [29]
Было установлено, что при ширине спектра генерации лазера на красителе ДХНО 4 4 нм в неселективном резонаторе генерация не возникает ( ср. [30]
Страницы: 1 2 3 4