Генерация - носитель - ток
Cтраница 1
Генерация носителей тока имеет место также и на тех участках кристаллической решетки, которые имеют дефекты, образовавшиеся при внедрении водорода в решетку. [1]
На рис. 8.17 а цифрами / и 2 показан процесс генерации носителей тока, происходящий через ловушки Ел, цифрами 3 и 4 - процесс их рекомбинации. В отсутствии внешнего поля между этими процессами устанавливается равновесие, которому отвечает определенная степень заполнения ловушек электронами. [2]
Свойства р - n - перехода меняются существенным образом, когда вследствие генерации носителей тока светом, падающим на переход, меняется концентрация неосновных носителей тока вблизи перехода. Вьттпе было показано, что ток насыщения, переносимый неосновными носителями тока данного знака, пропорционален их концентрации, так что обусловленный действием света рост концентрации неосновных носителей тока вызывает увеличение тока насыщения. [3]
 |
Зависимость lga0 ( ffo больше OQ. Этот факт был. [4] |
Мы полагаем, что единственным процессом, сильно зависящим от температуры, является процесс генерации носителей тока. В таком случае предэкспоненциаль-ный множитель в уравнении проводимости прямо пропорционален подвижности носителей. [5]
Фотоэлементы широко используются для преобразования солнечной энергии в электрическую; КПД преобразования будет тем больше, чем большая часть спектра солнечного света участвует в генерации носителей тока. Для изготовления фотоэлементов подбирают материалы, максимум спектральной чувствительности которых приходится на максимум излучения Солнца. В настоящее время фотоэлементы изготавливают в основном из кремния, их КПД достигает 12 % и выше. Широкую спектральную характеристику имеют гетеропереходы. [6]
Характеристики фоторезисторов на основе PbS и PbSe могут быть значительно улучшены при охлаждении фоточувствительного элемента до температуры твердой углекислоты ( 195 К) или жидкого азота: ( 77 К) в результате снижения тепловой генерации равновесных носителей тока и сужения ширины запрещенной зоны. [7]
Если чувствительный элемент на основе сульфида свинца или селеннда свинца охлаждать до температуры твердой углекислоты ( 195 К) или жидкого азота ( 77 К), то можно значительно улучшить характеристики фоторезисторов в результате снижения тепловой генерации равновесных носителей тока и сужения ширины запрещенной зоны. Основной конструкцией охлаждаемыхфоторезнсторов ( рис. 221, г, д и е) является герметичный стеклянный сосуд 10 с двойными стенками, из которого удален воздух, что обеспечивает длительное сохранение хладагента. Чувствительный элемент 2 прикрепляют к донной части внутреннего стакана сосуда. [8]
Для кремния р-типа такая задержка отсутствует. Внедряясь в кристаллическую решетку кремния, водород увеличивает число центров генерации носителей тока как за счет образования дополнительных уровней, так и за счет возникновения дефектов кристаллической решетки. Благодаря этому возрастает поверхностная проводимость кремния р-типа и уменьшается дополнительный скачок потенциала в обедненном носителями тока приповерхностном слое полупроводника. Не исключено, что возникающий пик потенциала маскирует небольшую задержку, которая должна была бы наблюдаться на кривых для кремния р-типа. [9]
 |
Схема оптоэлек-тронного ключа К262КП1А - Б.| Выхрдные характеристики тиристорного оптрона. [10] |
Слои фоютиристора так расположены относительно излучателя, что при подаче входного сигнала прямому облучению подвергается наиболее высокоомная область. Свет, проникающий в эту область, вызывает в ней активную генерацию носителей тока - электронов и дырок, что приводит к включению тиристорного оптрона. При нормальном для данного оптрона входном токе выходная вольт-амперная характеристика практически спрямляется ( кривая 4), оптрон открывается. После снятия входного сигнала тиристорный оптрон находится во включенном состоянии до тех пор, пока ток выходной цепи не снизится до уровня тока выключения. [11]
Фоторезисторы обладают достаточной чувствительностью не только к излучению специальных источников, но и к излучению окружающего фона в широком диапазоне спектра. Поэтому даже в отсутствие излучения от специального источника в чувствительном элементе фоторезистора постоянно происходит процесс генерации носителей тока, приводящий к соответствующему изменению проводимости. Допустим, что на чувствительный элемент фоторезистора за одну секунду попадает п квантов. Если проследить за темпом поступления квантов в более короткие последовательные и равные интервалы времени, то можно заметить, что количество поступающих квантов в них различно, хотя, в среднем, при этом обеспечивается поступление п квантов за одну секунду. Эти случайные отклонения числа квантов от их среднего значения ( флюктуации) и обусловливают появление радиационного ( фотонного) шума фоторезисторов. [12]
 |
Характеристика счетчика Гейгера-Мюллера при постоянном излучении. количество импульсов. / V в функции напряжения питания. [13] |
В полупроводниковых детекторах ионизирующего излучения используется определенным образом изготовленный p - n - переход ( Ge или Si диод с очень малым обратным током) в обратном включении. При воздействии быстрых частиц или квантов излучения образуются пары электрон - дырка, которые обеспечивают прохождение импульса тока во внешней цепи. Так как для генерации носителей тока необходима незначительная энергия, то полупроводниковые детекторы отличаются большей чувствительностью по сравнению с газонаполненными. Путем подбора материала полупроводника ( Ge или Si), а также технологии изготовления p - n - перехода удается получить детекторы, реагирующие на и - или ( J-частицы, нейтроны или - излу-чение. [14]
Рассмотрим теперь, какие изменения происходят при внедрении выделяющегося водорода в поверхностный слой полупроводника. Кроме того, обнаружены высокие скорости поверхностной рекомбинации после катодной обработки германия в большинстве электролитов. Адсорбция водорода на германий резко увеличивает число центров рекомбинации и генерации носителей тока. Генерация носителей тока на новых примесных уровнях, образованных в результате внедрения водорода, увеличивает проводимость поверхностного слоя полупроводника и тем самым ликвидирует дополнительный скачок потенциала на германии р-типа. Кроме того, генерация дополнительных носителей тока возможна также вследствие появления дефектов кристаллической решетки при внедрении в нее водорода. Изучение действия света на катодные процессы на германии8 показало, что генерация дополнительных носителей тока на поверхности германия р типа возможна также и при облучении катода. Этот эффект особенно характерен для щелочных растворов, где изменение поляризации при действии света достигает нескольких вольт. [15]
Страницы: 1 2