Генерация - носитель - ток
Cтраница 2
Существенно влияет на работу полупроводниковых приборов также поверхностная рекомбинация. В точечных и маломощных плоскостных полупроводниковых диодах и триодах основная доля рекомбинации определяется участками поверхнос ш, непосредственно примыкающими к точечному контакту или к выходу р-л-перехода на поверхность. Еще большую роль поверхностная рекомбинация играет в фотоэлементах, в частности в солнечных батареях, где генерация носителей тока происходит практически у поверхности. [17]
Рассмотрим теперь, какие изменения происходят при внедрении выделяющегося водорода в поверхностный слой полупроводника. Кроме того, обнаружены высокие скорости поверхностной рекомбинации после катодной обработки германия в большинстве электролитов. Адсорбция водорода на германий резко увеличивает число центров рекомбинации и генерации носителей тока. Генерация носителей тока на новых примесных уровнях, образованных в результате внедрения водорода, увеличивает проводимость поверхностного слоя полупроводника и тем самым ликвидирует дополнительный скачок потенциала на германии р-типа. Кроме того, генерация дополнительных носителей тока возможна также вследствие появления дефектов кристаллической решетки при внедрении в нее водорода. Изучение действия света на катодные процессы на германии8 показало, что генерация дополнительных носителей тока на поверхности германия р типа возможна также и при облучении катода. Этот эффект особенно характерен для щелочных растворов, где изменение поляризации при действии света достигает нескольких вольт. [18]
 |
Зависимость отношения квантового выхода дырок г / I I I I I I I к квантовому выходу электронов. [19] |
Отсутствие большой энергии активации фототока при генерации дырок и электронов в объеме кристалла с длиной волны 2800 А говорит о том, что внутри кристалла электроны захватываются ловушками ничуть не больше дырок. При увеличении энергии возбуждающего света, начиная с 3 9 эВ, наблюдается существенное отклонение спектральной зависимости выхода электронов от спектра поглощения антрацена. На рис. 3.1.11 и 3.1.12 приведены данные, полученные соответственно на кристаллах с электродами из проводящего прозрачного слоя SnO2 или дистиллированной воды. Так как дистиллированная вода не инжектирует в антрацен электроны, представленная на рис. 3.1.12 спектральная зависимость / - больше соответствует собственному механизму генерации носителей тока. В то же время подобие спектра возбуждения / спектру поглощения вещества указывает на то, что дырки рождаются при диссоциации экситонов на электроде. Впервые результаты, подобные представленным на рис. 3.1.11 и 3.1.12, были получены Кастро и Хорнигом в работе [20] и правильно объяснены ими как свидетельство возникновения генерации дырок и электронов в объеме кристалла. [20]
Страницы: 1 2