Генерация - неосновной носитель
Cтраница 1
Генерация неосновных носителей может быть осуществлена не только с помощью внутренней ионизации ( например, светом), но и инъекцией их с выпрямляющего контакта, включенного в пропускном направлении. Такая инъекция приводит к появлению в образце, кроме неосновных носителей, равного им количества основных носителей, обеспечивающих нейтральность. Таким образом, в результате инъекции проводимость в образце повышается. [1]
Генерация неосновных носителей заряда обусловлена первоначальной диффузией основных носителей и зависит от их концентрации, которая может быть увеличена при действии внешнего электрического поля. [2]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток, При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [3]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток. При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [4]
Ток насыщения возникает за счет тепловой генерации неосновных носителей в переходе, где из-за запирающего напряжения, приложенного к переходу, концентрация носителей меньше равновесной. [5]
Действительно, как показано выше, ток насыщения, создаваемый за счет генерации неосновных носителей, при отсутствии генерации в самом р - га-переходе практически не зависит от приложенного поля. Однако при изменении напряжения U меняется толщина р - га-пе-рехода и соответственно заряд Q в р - и га-областях. Емкостной ток и вызван переносом заряда Q, причем сам перенос везде осуществляется основными носителями и не связан с генерацией или рекомбинацией. [6]
 |
Линейка из МОП-конденсаторов ( а. диаграммы потенциалов для различных моментов времени ( б - г и временные диаграммы ( д. [7] |
Накопление заряда в потенциальной яме происходит и при отсутствии освещения за счет тепловой генерации неосновных носителей. В зависимости от температуры и свойств материалов МОП-конденсатора максимальный заряд в ячейке под действием тепловых процессов может образоваться за время от сотых долей до единиц секунд. В реальных приборах при комнатной температуре обычно его устанавливают равным единицам - десяткам килогерц. [8]
 |
Действие внешнего напряжения на р-п. [9] |
Таким образом, при данной полярности внешнего источника напряжения через р-л-переход проходит только ток генерации неосновных носителей заряда, величина которого определяется их концентрацией. Концентрация неосновных носителей заряда зависит от температу ры и не зависит от напряжения в сравнительно широких пределах изменения последнего. Рассмотренное включение p - n - перехода называют обратным направлением. [10]
Для того чтобы исключить эффекты, связанные с различием электронных токов и с увеличением скорости генерации неосновных носителей при повышении ускоряющего напряжения, измеренный ток / нормируют на / в. При достаточно малых величинах EQ, когда генерация носителей происходит преимущественно в CuxS, зависимость 1п ( / / / в. [11]
 |
Зависимость шумовых параметров полевых транзисторов от. [12] |
Влияние температуры окружающей среды на характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим р - - переходом объясняется изменениями скорости генерации неосновных носителей в области пространственного заряда, удельного сопротивления канала, величины барьерного потенциала перехода затвор - капал. [13]
Так как множители рпо / тр и лро / т характеризуют генерацию носителей заряда в п - и р-областях соответственно, то из (2.44) видно, что обратный ток обусловлен тепловой генерацией неосновных носителей в слоях толщиной Lp и Ln, прилегающих к р-л-переходу, и последующей диффузией этих носителей в области потенциального барьера. [14]
При повышении температуры возрастает генерация электронно-дырочных пар и концентрация неосновных носителей повышается, что приводит к увеличению обратного тока. Однако поскольку ширина запрещенной зоны кремния больше, чем у германия, генерация неосновных носителей в нем будет идти значительно слабее и величина обратного тока кремниевых диодов может в тысячи раз быть меньше, чем у германиевых. Поэтому кремниевые приборы могут работать при более высоких температурах. [15]
Страницы: 1 2 3