Cтраница 3
На границе базы, противоположной переходу, могут находиться: внешний металлический контакт, переход типа п-п ( некоторые типы диодов и транзисторов), второй р-п-переход ( транзисторы, интегральные микросхемы), поверхность кристалла или диэлектрический слой. Особенно широко распространены p - n - переходы с тонкой базой в микроэлектронике. Если скорость генерации и рекомбинации на указанной границе мала ( например, в случае, если границей является переход типа п-п 4 -), то тепловой ток, как и для толстой базы, определяется тепловой генерацией неосновных носителей в базе. [31]
Теория фликкор-гаума в ПП разработана лишь в общих чертах. Как правило, шум типа 1 / / наблюдается в диапазоне частот от самых низких до 10 кгц. Представления о природе флпккер-шума в ПП связывают с существованием поверхностных ловушек. Изменение заполнения поверхностных ловушек влияет на скорость генерации неосновных носителей заряда в объеме ПП вблизи поверхности. [32]
Представляет интерес выяснение природы этих процессов. В работах [5, 6] была исследована релаксация проводимости после импульсного изменения внешнего поля. Результаты можно было объяснить, предполагая, что основную роль в кинетике этих процессов играет взаимодействие поверхностных состояний только с основными носителями. Моррисон на основании своих опытов [7] считал существенной генерацию неосновных носителей с поверхностных состояний. [33]
Как уже было сказано, через эмиттерный переход происходит инжекция в базовую область. Остальная часть дырок пересекает область базы, доходит до коллекторного перехода и увеличивает его обратный ток. В области базы идет ток электронов. Он складывается из обратного тока коллекторного перехода, получившегося вследствие генерации неосновных носителей в области коллектора, тока электронов, появившихся при ударной ионизации, а также тока электронов, инжектируемых из области базы в область эмиттера. [34]
Рассмотрим более детально режимы работы ПЗТ. Прежде всего заметим, что работа ПЗТ в статическом режиме невозможна. Здесь вводится понятие квазистатического [168, 321] и динамического режимов. В первом случае частота управления такова, что почти весь заряд успевает перейти из истока в приемник. Egmm - минимальное поле под затвором); rg - время тепловой генерации неосновных носителей, которое ограничивает существование неравновесно истощенной потенциальной ямы и, следовательно, режима, в котором возможно существование самой описываемой здесь приборной структуры. [35]
Теория фликкер-шума в ПП разработана лишь в общих чертах. Как правило, шум типа ilf, наблюдается в диапазоне частот от самых низких до 10 кгц. Представления о природе фликкер-шума в ПП связывают с существованием поверхностных ловушек. Захват носителей заряда ловушками вызывает изменение числа свободных носителей заряда в образце ПП. Изменение заполнения поверхностных ловушек влияет на скорость генерации неосновных носителей заряда в объеме ПП вблизи поверхности. [36]