Полная ионизация - примесь
Cтраница 1
Полная ионизация примесей происходит при температурах - 10 - н н - h 50 С. В рабочем диапазоне температур от - 10 - г - 50 до 150 С температурный коэффициент сопротивления позисторов положителен и достигает десятков процентов на 1 С, так как подвижность носителей заряда уменьшается с повышением температуры, а концентрация носителей заряда остается неизменной. При температурах ниже - 10 С и выше 150 С температурный коэффициент сопротивления позисторов становится отрицательным. [1]
 |
Зависимость удельной электропроводимости в полупроводника от температуры. [2] |
Правда, при определенных условиях ( полная ионизация примесей) в некоторых полупроводниках электропроводность может стать почти независимой от температуры ( псевдометаллическая проводимость), хотя и в этом случае, несмотря на постоянную концентрацию носителей тока, может обнаруживаться небольшое изменение сопротивления при нагреве, вызванное относительно слабой температурной зависимостью подвижности носителей. [3]
Следует оговорить, что при определенных условиях ( полная ионизация примесей) в некоторых. [4]
Рабочий температурный диапазон примесных полупроводников ограничен снизу температурой полной ионизации примесей, а сверху - критической температурой, при которой примесный полупроводник превращается в собственный. [5]
Последнее из приведенных выражений ср справедливо при условии полной ионизации примесей, что обычно и происходит. [6]
 |
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры в полупроводнике п-типа ( NдзNд2Nдl. [7] |
Рабочий температурный диапазон примесных полупроводников ограничен снизу температурой полной ионизации примесей, а сверху - критической температурой истощения, при которой примесный полупроводник превращается в собственный. [8]
 |
Температурная зависимость удельной электрической проводимости кремния, содержащего различное количество фосфора. [9] |
Формула (9.12) в области примесной проводимости справедлива лишь до тех пор, пока не наступит полная ионизация примеси. [10]
 |
Зависимость скорости. [11] |
Если / г0 или ра не меняются с изменением температуры ( например, в случае полной ионизации примесей), то зависимость т ( тр) от температуры определится зависимостью от нее ун. [12]
Высокий Т КС диффузионных резисторов обусловлен температурной зависимостью концентраций примеси, что, в свою очередь ( при полной ионизации примеси), определяется изменением подвижности носителя заряда от температуры; TKJC зависит от изменения концентрации примесей тем больше, чем выше сопротивление слоя. [13]
Те свойства приборов, которые зависят от концентрации неосновных носителей, также будут резко изменяться с температурой даже в области полной ионизации примесей. [14]
 |
Температурная зависи. [15] |
Страницы: 1 2