Полная ионизация - примесь
Cтраница 2
Участок / на рис. 155, а соответствует росту концентрации с температурой в примесной области, на участке 2 имеет место полная ионизация примесей, участок 3 соответствует собственной проводимости. [16]
При сильном легировании этот вид рассеяния практически не осуществляется, так как вплоть до самых низких температур в сильно легированных полупроводниках имеет место полная ионизация примесей. [17]
Очевидно, что условие nQ NgM соответствует слабой степени ионизации примесей ( ибо уровень Ферми лежит выше примесных уровней); случай nQ N м соответствует полной ионизации примесей. Поскольку при полной ионизации фотоэффект, очевидно, невозможен, этот случай для нас не представляет интереса. [18]
Качественно перечисленные зависимости объясняются следующим образом. Концентрации основных носителей из-за полной ионизации примесей остаются неизменными. Это свидетельствует о снижении напряженности электрического поля и, следовательно, высоты барьера. При температурах, превышающих граничное значение Тмакс ( см. рис. 1.5 и 1.6), концентрации носителей с обеих сторон перехода приближаются к собственной концентрации, а градиенты концентраций, диффузионный ток и высота потенциального барьера уменьшаются до нуля. С ростом концентрации примесей пропорционально увеличиваются концентрации основных носителей и уменьшаются концентрации неосновных носителей (1.4), т.е. возрастают градиенты концентраций носителей, диффузионные токи и компенсирующие их дрейфовые токи. Следовательно, растет напряженность поля и высота барьера. [19]
 |
Спектры поглощения германия, легированного сурьмой, с Wd8 - 1015 K см-3. 1 - Г 4 2 К, g Q. 2 - Г 4 2 К, 5 Г100 el 3 - Г77 К. [20] |
В образцах с меньшей концентрацией доноров ионизация примесей наступает при меньших полях, однако экситонный пик исчезает не полностью. Изменение спектра поглощения с увеличением поля происходит до тех пор, пока не наступит полная ионизация примеси. После этого спектр останется неизменным, если не вступят в действие механизмы электростатической и ударной ионизации экситонов. [21]
Так как изменение температуры приводит к перемещению положения уровня химического потенциала, то в рассматриваемом случае произойдет следующее. В пределе, при температуре То, когда наступает полная ионизация примесей, уровень устанавливается посередине запрещенной зоны. [22]
 |
Температурная зависимость концентрации свободных носителей заряда полупроводника n - типа. Мл Л да Л дз ( при УУдз наступает вырождение. [23] |
При температуре абсолютного нуля его валентная зона должна быть полностью заполнена, донорные уровни заняты электронами, а зона проводимости пуста. При повышении температуры полупроводника электроны с примесных уровней начнут переходить в зону проводимости, и чем выше температура, тем большее число примесных атомов будет ионизовано. При дальнейшем повышении температуры, когда энергия kT станет достаточной для полной ионизации примеси, концентрация электронов в зоне проводимости станет равной концентрации донорной примеси, если при этом вероятность перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости ничтожно мала. Из рис. 8.2 видно, что чем больше концентрация примеси, тем выше температура, при которой концентрация свободных носителей заряда собственной проводимости становится сравнимой с концентрацией электронов, появившихся в зоне проводимости за счет ионизации донорной примеси. [24]
Ширина запрещенной зоны антимонида индия при 0 К составляет 0 27 эв. Эта величина почти не изменяется до температуры жидкого азота, затем линейно падает, достигая приЗОО К 0 18 эв. Благодаря небольшой ширине запрещенной зоны и малым значениям эффективных масс носителей электронный и дырочный газ в InSb уже при температурах значительно ниже комнатной вступает в область вырождения. Кроме того, при низких температурах коэффициент Холла почти не зависит от температуры. Это означает полную ионизацию примесей и малую энергию их активации в антимониде индия. [25]
Страницы: 1 2