Кольцевая геометрия

Cтраница 1

Кольцевая геометрия позволяет максимально приблизить измерительный объем системы ЛДА к исследуемой поверхности канала. [1]

Газоразрядные камеры с кольцевой геометрией ( см. рис. 4.7, б) уже используются в СО2 - лазерах технологического назначения. Активная среда в щелевом зазоре данного лазера создается с помощью несамостоятельного разряда с периодической ионизацией. Резонатор состоит из двух зеркал - плоского выходного, изготовленного из германия, и кольцевого с отражающей поверхностью. [2]

Как следует из рис. 7.12, при кольцевой геометрии площадь эмиттера принципиально не может быть меньше контактной площадки. По-лосковая геометрия позволяет удобно выводить контактные площадки по - а) верх маскирующего окисла и тем самым уменьшать размеры а-ктивных областей транзистора, а значит, и значения емкостей коллектора и эмит - в) тера. [3]

Интересно отметить, что предельный случай х 1 для кольцевой геометрии соответствует двумерной щели в реакторе. В отношении утечки нейтронов это неудачная система и ее обычно избегают. [4]

На рис. 6 показана типичная зависимость проводимости ахх ( измеренной в структуре с кольцевой геометрией) от напряжения на затворе при двух различных значениях магнитного поля В Причиной осцилляции является изменение плотности состояний на уровне Ферми. Период по напряжению на затворе сохраняется постоянным с точностью до 1 % и в пределах экспериментальной ошибки, равной 0 5 %, линейно растет с увеличением магнитного поля. [5]

Остается исследовать некоторые другие причины, в том числе возможную зависимость от р, эффект перехода от кольцевой геометрии, показанной на рис. 1, к обычной полосковой геометрии и эффекты туннелирования. [6]

Тогда система имеет равновесную намагниченность М, даваемую формулой М - dJ / dH, которая является аналогом формулы (4.5) в кольцевой геометрии. Можно считать, что эта намагниченность вызвана какими-то ненулевыми циркулярными токами. [7]

Поперечное сечение латерального р-п-р-транзистора. [8]

В области малых токов и соответственно для малых площадей эмиттерных р - - переходов на средних уровнях инжекции ( при плотностях тока порядка 100 А / см2) коэффициент усиления aVN продольного транзистора с кольцевой геометрией может более чем вдвое превосходить коэффициент усиления транзистора с полосковой геометрией. [9]

Рассчитывается коэффициент передачи продольного транзистора с кольцевой геометрией. Проводится сравнение теоретических и экспериментальных коэффициентов усиления микромощной и маломощной структур. [10]

Зависимость коэффициента р от геометрического параметра v. в случае массопереноса в кольцевом зазоре. [11]

Ван Шоу и др. [26] изучили предельный случай кольцевой геометрии, рассматривая круглую трубу без внутреннего цилиндра. [12]

Зависимость коэффициента q / / 3 от геометрического параметра к в случае массопереноса в кольцевом зазоре. [13]

Ван Шоу и др. [26] изучили предельный случай кольцевой геометрии, рассматривая круглую трубу без внутреннего цилиндра. [14]

Эффективность очистки скважины зависит от профиля скважины и геометрии затрубного пространства. Эксцентричность колонны бурильных труб является следствием угла ствола и кольцевой геометрии. [15]

Страницы: 1 2