Кольцевая геометрия

Cтраница 2

Устойчивый резонатор, образованный зеркалами 1 и 4, обеспечивает возбуждение М - мод с круговым расположением световых пятен на зеркалах. Их образующие пучки распространяются в межэлектродном зазоре, формируя внутрирезонаторное поле с кольцевой геометрией. Для вывода излучения одно из зеркал изготовляется полупрозрачным; в ряде случаев вывод энергии осуществляется через радиальную полупрозрачную зону или щель на одном из зеркал. [16]

Конструкция мощного сплавного транзистора в корпусе с герметизацией горячей сваркой ( а и с холодной сваркой ( б. [17]

Мощные сплавные транзисторы ( рис. 6 21) отличаются от мало - МОЩНБТХ увеличенной площадью р - - перехода. Для улучшения тешюотвода от коллектора 1 в стальной фланец ложки 7 вставляют медный вкладыш W, к которому крепится коллектор 12, Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используют кольцевую геометрию вывода эмиттера 9, а вывод базы / / имеет форму диска. [18]

Для полярной системы координат должно быть отмечено особое ограничение. Циклическая координата 8 может изменяться от 0 до 360, только если заданы значения зависимой переменной при 8 0 и 360 или эти линии являются линиями симметрии. Это ограничение не так серьезно, как это может показаться на первый взгляд. Для большинства задач в круглой или кольцевой геометрии существуют две радиальные линии симметрии или более, поэтому решение нужно искать только в секторе, ограниченном двумя линиями симметрии. Например, рассмотрим полностью развитое течение в круглом канале с радиальными внутренними ребрами. Если же ребра расположены неравномерно, без желательных линий симметрии, то CONDUCT не может быть применена для решения подобной задачи. [19]

Лген ( 1 - т / Р /) 2 где Р - приходящаяся на единицу длины величина потерь на полный обход резонатора за исключением потерь на излучение во внеш. Соответствующая этому ограничению плотность мощности накачки оказывается примерно на порядок меньше пороговой, при к-рой возможно развитие неустойчивости разряда. Мощность СО2 - ЛДО обычно не превышает 500 - 1000 Вт. Для повышения погонной мощности применяют разряды щелевой или кольцевой геометрии либо помещают большое число трубок ( N) в общий резонатор. [20]

Рассмотрен тиристор с продольной структурой. Отмечаются преимущества такого тиристора, особенно при использовании его в интегральных схемах. Рассмотрены особенности геометрии составляющего продольного транзистора с широкой базой. Показано, что для микромощных тиристоров ( номинальный ток / 0 01 - 7 - 1 ма) более выгодна кольцевая геометрия продольного транзистора, а для маломощных ( / 1 - 500 ма) - полосковая. Рассчитан коэффициент передачи транзистора с кольцевой теометрией. Показано, что из-за специфики кольцевого транзистора его коэффициент передачи больше, чем у полоскового транзистора, при том же отношении WnILp. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных данных, качественно подтверждающее расчетные соотношения. [21]

У мощных транзисторов ( рис. 4 - 28, в), требующих хорошего теплоотвода от коллектора, основание корпуса может быть изготовлено из красной меди. В другом варианте на стальном основании имеется медный вкладыш, к которому крепится область коллектора. Вывод коллектора электрически соединяется с корпусом. Мощные транзисторы обычно изготавливаются методами планарной технологии. Они характеризуются большими площадями переходов, малыми сопротивлениями гэ и гк и относительно большими величинами емкости Ск и обратного тока коллектора. Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используется кольцевая геометрия вывода эмиттера, а вывод базы имеет форму диска и кольца. В ряде конструкций выводы транзистора выполняются в виде гребенки. Иногда для повышения рассеиваемой мощности на одном кристалле выполняются две транзисторные структуры, соединенные параллельно. [22]

Страницы: 1 2