Полупроводниковый германий

Cтраница 1

Полупроводниковый германий, легированный иногда различными примесями, используют при изготовлении самых разнообразных приборов. Подробно области применения германия рассмотрены в специальных обзорах, поэтому ограничимся лишь перечислением основных типов приборов, в которых используются полупроводниковые свойства германия. [1]

Соответствие полупроводникового германия своему назначению оценивается электрофизическими параметрами. Однако для исследований по разработке технологии и для получения германия высокой степени чистоты необходимо осуществлять аналитический контроль содержания примесей в промежуточных продуктах: тет-рахлориде и двуокиси германия и кислотах - азотной и соляной. [2]

Во-первых, полупроводниковый германий заметно дешевле полупроводникового кремния. [3]

Мировое производство полупроводникового германия исчисляется сотнями тонн в год. На основе германия и его сплавов с кремнием изготовляют диоды, транзисторы, детекторы, термисторы, фотосопротивления, оптические детекторы и фильтры, фототриоды, силовые выпрямители, счетчики а-частиц и другие приборы. [4]

Важным параметром, характеризующим качество полупроводникового германия, является подвижность носителей тока. Величина подвижности зависит от температуры. [5]

Политермы динамической вязкости жидкого германия разной чистоты при нагреве ( и охлаждении (. / - многократно пере мавлриного, загрязненного. 2 - полупроводникового, зоннэй очистки. 3 - полупроводникового, по данным. [6]

Здесь же приведены и данные [5] для полупроводникового германия в температурном диапазоне 950 - 1210 С. [7]

Была предпринята попытка применить ОКГ для определения микропримесей в чистых полупроводниковых германии и кремнии. [8]

Мышьяк является одной из примесей, существенно влияющих на электрофизические свойства и на качество полупроводникового германия. [9]

Когда идет речь об определении одного атома на биллионы атомов элемента основы, например в полупроводниковом германии или кремнии, нельзя ограничиться одним каким-либо методом, здесь нужен разумный выбор и сочетание методов концентрирования и определения следов. [10]

Из всех галогенидов наибольшее практическое значение имеет GeCl4, который представляет собой главный промежуточный продукт при получении полупроводникового германия. Это соединение служит исходным веществом для всех способов получения чистейшего германия. Все они неустойчивы по отношению к воде и при нагревании подвергаются реакциям диспропорционирования. [11]

Схема зонной плавки. [12]

Зонная перекристаллизация, часто называемая зонной плавкой, широко начала внедряться в практику глубокой очистки после получения высоко чистого зонноочищен-ного полупроводникового германия. [13]

Технический тетрахлорид германия содержит примеси хлоридов различных элементов ( As, Fe, Al, Si, P и др.), растворенные газы ( С12, НС1), механические взвеси и органические соединения. Поскольку ОеСЦ используется преимущественно для получения полупроводникового германия, требуется глубокая очистка исходного продукта. Наиболее трудна очистка от хлоридов. [14]

Непосредственное взаимодействие германия с галогенами начинается около 250 С. Наибольшее практическое значение имеет тетрахлорид GeCU - основной промежуточный продукт при получении полупроводникового германия. С иодом германий образует иодид Gel4 - вещество желтого цвета с температурой плавления 146 С и температурой кипения 375 С. Галогениды неустойчивы к воде. [15]

Страницы: 1 2