Cтраница 2
Получается порошкообразный германий, который сплавляют, а затем дополнительно очищают методом зонной плавки. Между прочим, этот метод очистки материалов был разработан в 1952 г. идгепно для очистки полупроводникового германия. [16]
Получается порошкообразный германий, который сплавляют, а затем дополнительно очищают методом зонной плавки. Между прочим, этот метод очистки материалов был разработан в 1952 году именно для очистки полупроводникового германия. [17]
Следует обратить внимание, что производство алюминия за последние 20 лет возросло в 4 раза. За эти же годы производство титана, циркония и урана достигло промышленного уровня, создано производство полупроводникового германия и кремния. [18]
Пирсон [1] считает заслуживающим внимания то обстоятельство, что разрез As2Te3 - I не проходит через область стеклообразования. Однако, если принять точку зрения, изложенную в этой главе, это вовсе не обязательно. По-видимому, более интересно то, что добавка иода, понижающего вязкость расплава и, вероятно, способствующего деполимеризации структуры расплава, увеличивает устойчивость стекол. Возможно, что это связано с понижением температуры ликвидуса, но это только предположение, так как температуры ликвидуса неизвестны. Авторы также наблюдали заметный рост электропроводности при увеличении содержания Те, причем стекла с наивысшим содержанием Те похожи по виду на полупроводниковый германий. Увеличение проводимости и увеличение сходства с металлом по внешнему виду при возрастании атомного веса составляющих элементов характерно для халькогенидных стекол; такая же зависимость наблюдается и для самих элементов. [19]