Cтраница 1
Кристаллический германий получают восстановлением окиси германия или другими способами из его хлористых или сернистых соединений. [1]
Кристаллический германий на воздухе при комнатной температуре не окисляется. Вода на германий не действует. [2]
Если к кристаллическому германию добавить определенное количество индия или галлия, которые имеют только три валентных электрона, то эти валентные электроны также вступят в ковалентные связи с валентными электронами окружающих атомов германия. [4]
Все необычные модификации кристаллического германия превосходят Ge-I и электропроводностью. Упоминание именно об этом свойстве не случайно: величина удельной электропроводности ( или обратная величина - удельное сопротивление) для элемента-полупроводника особенно важна. [5]
Полупроводником в транзисторах служит обычно кристаллический германий или кремний; природа переходов между полупроводником и различными металлическими электродами ( эмиттером, коллектором и основанием) различна. [6]
![]() |
Схема устройства плоскостного германиевого транзистора типа р-п - р. [7] |
Базой является пластина 3 из кристаллического германия с электронной проводимостью. При плавлении индия между каждым из этих электродов и германиевой пластиной - базой образуются области с дырочной проводимостью и создаются эмит-терный 7 и колекторный 2 p - n - переходы. Выводы от эмиттера 5 и базы 4 изолированы от корпуса стеклянными проходными изоляторами. Транзистор помещается в металлический корпус. [8]
![]() |
Плоскостной германиевый транзистор.| Схема транзистора типа п-р - п. [9] |
Базой триода является пластина 10 из кристаллического германия с электронной проводимостью. [10]
![]() |
Кристаллическая структура ( а и энергетические зоны ( б чистого германия. [11] |
На рис. 14.1, а пространственная модель кристаллического германия заменена плоскостной. [12]
Ионы аргона выбивают из материала мишени ( кристаллического германия) атомы германия, которые переносятся на подложку, где и осаждаются в виде тонких аморфных пленок. [13]
Основанием ( базой) триода является пластина 10 из кристаллического германия с электронной проводимостью. При плавлении индия между каждым из этих электродов и германиевой пластиной - базой создаются области с дырочной проводимостью. [14]
Основой германиевого диода ( рис. 82, в) служит пластинка из кристаллического германия 13 с примесью сурьмы или мышьяка, обладающего - проводимостью. Неуправляемый кремниевый выпрямитель ( диод) состоит из слоя кристаллического кремния с примесью фосфора или сурьмы ( п-проводимость), сплавленного с пластиной алюминия. В результате диффузии алюминия в кремнии образуется слой с р-проводимостью. [15]