Кристаллический германий

Cтраница 2

Основой германиевого диода ( рис. 82, в) служит пластинка из кристаллического германия 13 с примесью сурьмы или мышьяка, обладающего re - проводимостью. Неуправляемый кремниевый выпрямитель ( диод) состоит из слоя кристаллического кремния с примесью фосфора или сурьмы ( n - проводимость), сплавленного с пластиной алюминия. [16]

Схематическое устройство транзистора изображено на рис. 18.5. Базой транзистора является пластинка / кристаллического германия с электронной проводимостью, на которую с двух сторон наплавляются пластинки индия. [17]

Интересно отметить, что в аморфном германии сохраняется координационное число 4, характерное для кристаллического германия. [18]

Схема работы и внешний вид кристаллов 76Ge детектора двойного бета-распада эксперимента Гейдельберг-Москва. [19]

Ядра германия-76 являются внутренними источниками рождения пар электронов, которые при энергии 2 МэВ имеют длину пробега в кристаллическом германии порядка единиц миллиметров и в большинстве своем остаются внутри кристалла детектора. Нейтрино же, обладая высокой проникающей способностью, уносят всю свою энергию вовне и в детекторе не регистрируются. [20]

Ср / Т3 5.3.1. Зависимость Ср / т от от Т2, как это сделано на рис. Г2 для кристаллического германия. [21]

Чтобы понять влияние примесей па свойства аморфных полупроводников, рассмотрим структурные огличпя между кристаллическим и аморфным германием. Кристаллический германий имеет структуру алмаза. В его решетке каждый атом располагается в тетраэдрическом окружении четырех других атомов германия, гак что возникает трехмерная каркасная структура. При легировании германия, например, мышьяком, пятивалентный мышьяк вынужден занимать тетраэдричсскую позицию вместо атома германия. Поэтому атом мышьяка образует четыре связи с соседними атомами германия. Поскольку у атома мышьяка имеется пять валентных электронов и лишь четыре из них участвуют в химической связи, пятый электрон может свободно двигаться в кристалле и участвовать в переносе электрического заряда. Согласно зонной теории этот электрон находится в зоне проводимости; см. гл. На рис. 18.14, а схематически изображена ( в плоскости) кристаллическая решетка германия, легированного мышьяком. [22]

Кристаллизуется германий в такой же кристаллической решетке, как алмаз и кремний. Как полупроводник кристаллический германий применяется в электро - и радиотехнике. [23]

Односторонняя проводимость р-л-перехода. а - небольшой ток обратного направления. б - в схеме протекает ток, созданный основными носителями за - РЯД /.| Внешний вид. а - плоскостного германиевого диода. 6 - точечного германиевого диода. [24]

На рис. 3 - 22, а показаны внешний вид и устройство одного аз видов плоскостного германиевого диода. Диод изготовлен из пластинки кристаллического германия обладающего n - проводимостью. Для получения / - - перехода на поверхности пластинки помещают кусочек индия, который нагревают до расплавления. Атомы расплавленного индия проникают в пластинку германия и образуют объем с р-провфщмостью. На границе этого объема с остальным германием образуется р-п-переход. [25]

Хотя в кристалле германия имеется большое количество электронов, однако эти электроны являются связанными либо в атомном остатке, либо в ковалентных связях и не могут свободно передвигаться от одной точки к другой под воздействием электрического поля. Таким образом, поведение кристаллического германия подобно изолятору с высокой диэлектрической постоянной. Эть рассмотрение ограничивается идеальным случаем совершенного кристалла, в котором не имеется никаких нарушений в структуре решетки. Позднее будет показано, что работа кристаллических триодов и кристаллических выпрямителей зависит от управления дефектами в кристалле. [26]

Однофазный дроссель насыщения на Ш - об. [27]

В германиевом выпрямителе ( диоде) запирающий слой образуется при сплавлении германия с индием. К кристаллодержателю припаяна пластинка 14, изготовленная из кристаллического германия. Индиевая капля, образующая переход на электроде, имеет диаметр около 0 8 мм. Выводы диода расположены по его оси. [28]

Эта модель хорошо согласуется и с КРР. Плотность аморфного Ge составляет 97 2 % от плотности кристаллического германия. По указанным моделям допускается существование изолированных оборванных химических связей и разно образие структурных конфигураций изолированных центров, имеющих неспаренные электроны. [29]

Рассмотрим однократно ионизированный пятивалентный атом примеси, например ион As, замещающий основной атом в кристаллическом германии ( см. фиг. [30]

Страницы: 1 2 3