Герметизация - микросхема
Cтраница 2
Извлечение сборки из герметичной упаковки, входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация микросхем должны осуществляться в помещениях при соблюдении правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше 65 % и Т ( 298 10) К. [16]
Технология изготовления гибридных тонкопленочных микросхем включает самые разнообразные процессы - от очистки подложек до герметизации готовых микросхем. Для реализации этих процессов используют различные методы и разнообразное оборудование. [17]
Наличие вредных химических травителей может стравить или повредить р-п переход, причем это может произойти после герметизации микросхемы в процессе ее эксплуатации. [18]
Важной операцией в процессе герметизации является проверка корпусов микросхем на герметичность, которая осуществляется при изготовлении основания корпуса с изолированными выводами и после герметизации микросхем. Проверку герметичности производят масс-спектроскопическим методом с помощью гелиевых течеискателей типа ПТИ-6 или ПТИ-7. Этим методом обнаруживают натекание гелия со скоростью порядка 1 10 - 8 см8 / с. Производительность установок для проверки герметичности этим методом достигает 200 микросхем в час. [19]
Несмотря на хорошее качество герметизации микросхемы в исправном металлокерамическом или металлостеклянном корпусе, невозможно обеспечить вероятность нарушения герметичности ( в виде трещин в стекле или плохого спая диэлектрика с металлом) ниже, чем вероятность отказа самой микросхемы. К тому жеследует отметить, что качество герметизации микросхем в пластмассовом и металлополимерном корпусах вообще неудовлетворительное, так как полимерные материалы, например, плохо противостоят проникновению влаги. [20]
Для пайки корпусов применяют автоматические и полу автоматические установки. На установке АГМП-1 ( автомат герметизации микросхем пайкой) пайку выполняют в среде инертного газа. [21]
 |
Внешний вид кристаллов арсенид-галлиевых микросхем СВЧ. [22] |
Защита кристаллов микросхем в микросборках усилителей производится только от механических повреждений негерметичными диэлектрическими крышками. В составе блоков СВЧ радиоэлектронной аппаратуры герметизация микросхем производится при избыточном давлении осушенного инертного газа с точкой росы не выше - 70 С. [23]
В совмещенных микросхемах применяют пленочные резисторы, изготовляемые с помощью фотолитографии. В качестве материала пленок используют нихром, который очень стабилен, особенно если герметизация микросхем производится в инертной атмосфере, и имеет хорошую адгезию со слоем двуокиси кремния. [24]
Следует также отметить и такую общую тенденцию, как повышение функциональной нагрузки, заключающуюся в том, что один и тот же элемент, в данном случае подложка, должен выполнять несколько различных и часто противоречивых функций. Известны, например, конструкции микросхем, в которых подложка выступает в качестве элемента корпуса и, следовательно, должна обеспечивать и герметизацию микросхемы. [25]
Несмотря на хорошее качество герметизации микросхемы в исправном металлокерамическом или металлостеклянном корпусе, невозможно обеспечить вероятность нарушения герметичности ( в виде трещин в стекле или плохого спая диэлектрика с металлом) ниже, чем вероятность отказа самой микросхемы. К тому жеследует отметить, что качество герметизации микросхем в пластмассовом и металлополимерном корпусах вообще неудовлетворительное, так как полимерные материалы, например, плохо противостоят проникновению влаги. [26]
Через пятую маску напыляют выводные электроды в виде толстых слоев меди. Затем для предотвращения окисления подложку охлаждают и вынимают из вакуумной камеры. Для улучшения стабильности сопротивлений и емкостей, если они будут работать при повышенных температурах, после напыления производят термообработку микросхемы в окислительной среде при температуре около 300 С. После термообработки к выводным электродам присоединяют медные луженые проводники и на микросхему наносят слой защитного лака, чем и заканчивается изготовление ее пассивной части. Завершающим этапом изготовления микросхемы является припайка или приварка транзисторов и герметизация законченной микросхемы. [27]
Страницы: 1 2