Cтраница 2
Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзисто - ры предназначены для применения в импульсных и других гибридных схемах с общей герметизацией. [16]
Кремниевые эпитаксиально-планарные я - p - п-транзисто-ры предназначены для работы в устройствах дискретного счета с общей герметизацией, транзистор КТ317 - для работы в микросхемах для ЭКВМ. [17]
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с общей герметизацией. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. [18]
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с общей герметизацией. Выпускается в керамикопластмассо-вом корпусе. Положительный вывод диода маркируется цветной точкой. Тип диода приводится на корпусе. [19]
Метод создания радиоэлектронных узлов ( модулей) из отдельных ( дискретных) радиодеталей, заключающийся в плотной компоновке субминиатюрных деталей обычной или специальной формы с последующей общей герметизацией. С помощью уплотненного монтажа создаются колончатые модули, плоские и этажерочные микромодули. [20]
Таким образом, можно ожидать, что ГИФУ по своей функциональной сложности заменят существующие моноблоки МЭА, в результате чего комплексная система может разместиться на одной или нескольких платах при общей герметизации устройства в целом. [21]
![]() |
Зависимость пробивного напряжения твердого диэлектрика от температуры и частоты ( тепловой. [22] |
Если РЭС эксплуатируется в отапливаемых помещениях ( бытовая аппаратура, ЭВМ широкого применения), то наиболее экономичной является влагозащита компонентов и узлов с помощью полимерных монолитных оболочек при отсутствии общей герметизации устройства. [23]
Пленочная защита не может служить конструктивной основой для крепления внешних выводов, а является лишь технологической защитой компонентов ( см. рис. 1.19) до герметизации их в монолитных ( полых) оболочках или до сборки в узлы с общей герметизацией. [24]
Герметизация возможна в двух вариантах: общая и локальная. Общая герметизация в разъемном герметичном корпусе предполагает использование соединителей в герметичном исполнении. К сожалению, среди поставляемых комплектующих изделий высоконадежные многоконтактные герметичные соединители отсутствуют, причем это положение является общим для всех стран. Контролепригодность при общей герметизации низка, она ограничена только теми контрольными точками, которые выведены на соединитель, что часто бывает недостаточно. [25]
В основу этого метода положено использование бескорпусных БГИС, монтируемых в металлических или прессованных рамках без применения печатных плат и соединенных с помощью гибких шлейфов. В МЭА предусмотрена общая герметизация всех БГИС в едином корпусе самого изделия. [26]
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц, а также для применения в импульсных устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами, предназначенном для автоматизированного монтажа при общей герметизации блоков аппаратуры. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на сопроводительной этикетке групповой тары. [27]
![]() |
Уплотнение рукоятки тумблера с помощью резинового колпачка.| Герметизация корпуса блока микроэлектронной аппаратуры. [28] |
В микроэлектронной аппаратуре при использовании бескорпусных микросхем и микросборок с целью уменьшения габаритов делают общую герметизацию всего блока с помощью паяного соединения корпуса блока и крышки. На рис. 8 - 15 представлена схема конструкции такого уплотнения. Корпус и крышка выполнены из алюминиевого сплава. Поверхности, обращенные к герметизирующему шву, предварительно гальванически покрываются слоем олова. В паз укладывается резиновая прокладка, сверху которой помещается луженая мягкая стальная проволока диаметром около миллиметра. [29]
![]() |
Корпус рамочного типа для микросборок СВЧ-диапазона. [30] |