Общая герметизация
Cтраница 3
Бескорпусную микросборку выполняют в виде коммутационной платы, на которой расположены элементы, компоненты и пленочные проводники. Бескорпусные микросборки применяют в тех случаях, когда микросборку устанавливают в блок, имеющий общую герметизацию. [31]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p - n - р универсальные. Предназаначены для применения в усилителях, генераторах и импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [32]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n - p - п универсальные. Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [33]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n - p - п универсальный. Предназначен для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией. Выпускается в пластмассовом корпусе с - жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [34]
Через стержни 16, на Которые нажимает планка 15, подвешенная к стойке на плоских пружинах. В связи с герметизацией датчика и отсутствием каких-либо других механизмов, для которых потребовалась бы защита от влаги и пыли, общая герметизация головки не предусмотрена. [35]
Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. [36]
Все большее распространение получают так называемые бескор-пуспые транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и мпкросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. [37]
Для защиты полупроводниковых приборов от влияния окружающей среды герметизируют корпуса приборов. При использовании приборов в аппаратуре, работающей в условиях повышенной влажности, платы с полупроводниковыми диодами и транзисторами подвергают многослойному покрытию специальными лаками и заливке компаундами. Микросхемы и микросборки с бескорпусными приборами подвергаются общей герметизации. При применении заливки плат компаундами и покрытии их лаками необходимо учитывать ухудшение те-плоотвода. [38]
 |
Сечение герметизирующего пояска. [39] |
Локальная герметизация, защищая отдельные участки, оставляет часть площади открытой, так как предполагается, что толстопленочные печатные элементы, покрытые снаружи защитным слоем стеклоэмали, могут использоваться вне герметичного корпуса. В тех редких случаях, когда требуется закрыть всю поверхность ГИП, применяют одну герметизирующую крышку, закрывающую почти всю поверхность, кроме двух зон с контактами, расположенными вдоль длинных сторон. Оставаясь по конструктивным признакам локальной, такая герметизация, по существу, уже выполняет функции общей герметизации. [40]
Герметизация возможна в двух вариантах: общая и локальная. Общая герметизация в разъемном герметичном корпусе предполагает использование соединителей в герметичном исполнении. К сожалению, среди поставляемых комплектующих изделий высоконадежные многоконтактные герметичные соединители отсутствуют, причем это положение является общим для всех стран. Контролепригодность при общей герметизации низка, она ограничена только теми контрольными точками, которые выведены на соединитель, что часто бывает недостаточно. [41]
Корпусными транзисторами не исчерпывается все многообразие выпускаемых типов транзисторов. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Если кристаллы таких транзисторов и защищены специальным покрытием, то оно не обеспечивает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. [42]
Необходимо помнить, что корпуса СВЧ диодов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании СВЧ диодов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них СВЧ диодами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Рекомендуется применять лаки УР-231 или ЭП-730. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные СВЧ диоды, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких СВЧ диодов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы или общей герметизацией блоков. [43]
Необходимо помнить, что корпуса СВЧ диодов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании СВЧ диодов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них СВЧ диодами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Рекомендуется применять лаки УР-231 или ЭП-730. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные СВЧ диоды, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких СВЧ диодов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы или общей герметизацией блоков. [44]
Страницы: 1 2 3