Гетероструктура

Cтраница 2

Спектральные характеристики инжекцион-ных диодов.| Конструкции излучающей ЧЕСТИ инжекци-онных диодов.| Внешний вид.| Технические данные некоторых светоизлучающих диодов ( ]. [16]

Основными достоинствами гетероструктур являются, во-первых, возможность регулирования ширины запрещенной зоны, что позволяет точно согласовать максимум спектра излучения с максимумом спектральной чувствительности фотоприемника; во-вторых, односторонняя инжекция носителей из области с большей шириной запрещенной зоны, что определяет высокий внешний квантовый выход гетеродиодов. [17]

Спектральные характеристики базы и эмиттера гетероструктуры. [18]

Все преимущества гетероструктур достижимы только при высоком качестве гетероперехода. [19]

Для получения гетероструктур лазерных диодов используется эпитаксия. Введение небольшого количества алюминия в активную область из арсенида галлия снижает остаточное напряжение, существующее вследствие несоответствия решеток арсенида галлия и примыкающих к ней слоев А1яХЗа1 жАз, что приводит к улучшению однородности эпитаксиальных слоев. Добавление алюминия в кристаллическую решетку арсенида галлия увеличивает ширину запрещенной зоны и уменьшает длину волны излучения. [20]

Фотодиоды с гетероструктурой представляют собой один из наиболее перспективных типов оптоэлектрон-ных фотоприемников. Генерируемые в п-области под воздействием оптического излучения дырки беспрепятственно переносятся в р - область. Ширина активной n - области выбирается такой, чтобы обеспечить поглощение всего излучения. Высокая степень чистоты активной области, низкая плотность поверхностных состояний границ между слоями обеспечивают малые рекомбинационные потери фотоносителей. [21]

Аналогично в гетероструктурах ( напр. [22]

В-третьих, образуется гетероструктура, эффективно сдвигающая границу р-и-перехода от металлургической границы. [23]

Другой отличительной особенностью гетероструктур является разница в оптических свойствах базы и эмиттера. [24]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные ге-тероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Дп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев - 25 - 30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [25]

Основным методом получения гетероструктур для солнечных элементов в системе Al - Ga - As является метод жидкофазной эпитак-сии ( ЖФЭ), хотя в последнее время начинает все шире использоваться метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. [26]

Солнечные элементы с гетероструктурой на основе GaAs более подробно рассмотрены в гл. [27]

Технологический процесс изготовления пленарного фототранзистора. [28]

Другим важным технологическим достоинством гетероструктур является их технологическая совместимость с диэлектрическими волноводами оптических интегральных микросхем. [29]

Изменение температурного коэффициента фототока с длиной волны света. [30]

Страницы: 1 2 3 4