Гетероструктура

Cтраница 3

Развитие эпитаксиальных методов создания гетероструктур в системе GaAs - AlAs, варизонных структур на основе ALGai - jAs позволяют создавать УФ фотоприемники на основе этих соединений. Использование более широкозонного, чем GaAs, соединения в качестве прозрачного в коротковолновой области спектра окна, пропускающего высокоэнергетические фотоны в глубоко лежащую область разделяющего носители заряда потенциального барьера, облегчает получение высокой УФ фоточувствительности. [31]

Основной проблемой в получении высококачественных гетероструктур является необходимость резкого снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное рассеяние носителей тока. [32]

Практически сверхрешетки создаются на гетероструктурах. Основным методом получения сверхрешеток является эпитаксия. [33]

Почему сверхрешетки создают на гетероструктурах. [34]

Кроме молекулярно-лучевой эпитаксии для формирования гетероструктур с квантовыми точками может быть использован метод CVD, а также ионная имплантация. В основе формирования таких структур лежит самоорганизация радиационных дефектов, образующихся при ионной имплантации. [35]

В [138] оценивались энергии разрыва гетероструктуры ( 111) Nb / ( 0001) Al2O3; согласно полученным данным, наиболее вероятен скол кристалла вдоль слоя металлических атомов. [36]

Использование А1 - Ga-As - гетероструктур для создания СЭ открывает дополнительные возможности повышения эффективности преобразования солнечного излучения. [37]

Характеристики солнечных элементов на основе гетероструктур GaAs, гомопереходов и - р - р - типа в GaAs и структур Аи - AlGaAs - GaAs с барьером Шоттки теоретически можно описать довольно точно, в частности, с достаточной точностью предсказать значение / 0, основываясь на известных параметрах материалов. [38]

Спектры фотоответа СЭ на основе гетероструктур типа GaAs - pGaAs - pAlGaAs определяются эффективностью собирания фотоносителей, генерированных в GaAs и pGaAs, и спектром пропускания широкозонного окна, выполненного из твердого раствора. [39]

Специфической особенностью возникновения напряжений в гетероструктурах на основе твердых растворов является то, что эти напряжения могут быть обусловлены не только разностью КТР и параметров решеток пленки и подложки, но и негомогенностью состава твердых растворов в пленке. [40]

Интенсивное исследование квантовых эффектов в сверхтонких полупроводниковых гетероструктурах уже привело к появлению новых классов полупроводниковых приборов - резонансных туннельных диодов и транзисторов, обладающих потенциально очень высоким быстродействием ( предельные частоты до 1012 Гц) и широким спектром других возможностей, а также инжекционных лазеров на квантовых ямах и квантовых точках с уникальными рабочими характеристиками. [41]

Технологический процесс изготовления пленарного фототранзистора. [42]

Основным недостатком гетерофотодиодов является сложность изготовления гетероструктуры и сложность выбора контактной пары материалов полупроводников. [43]

Лучи, претерпевающие на внешней границе кристалла гетероструктуры полное внутреннее отражение, многократно отразившись вт различных граней кристалла, в конце концов падают на внешнюю границу под таким углом, который дает возможность им выйти наружу. Очевидно, что многопроходный эффект является полезным только в том случае, если поглощение излучения в полупроводнике мало. Поглощение в узкозонной базе удается несколько компенсировать с помощью фотолюминесценции: поглощение кванта излучения ведет к новому акту излучения. [44]

Излучение, претерпевающее на внешней границе кристалла гетероструктуры полное внутреннее отражение, многократно отразившись от различных граней кристалла, в конце концов падает на внешнюю границу под таким углом, который дает возможность ему выйти наружу. Как видим, многопроходный эффект является полезным только в том случае, если поглощение излучения в полупроводнике мало. Поглощение в узкозонной базе удается несколько компенсировать с помощью фотолюминесценции: поглощение кванта излучения ведет к новому акту излучения. [45]

Страницы: 1 2 3 4