Летучий неорганический гидрид - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Богат и выразителен русский язык. Но уже и его стало не хватать. Законы Мерфи (еще...)

Летучий неорганический гидрид

Cтраница 1


Летучие неорганические гидриды, заслуживают особого внимания как идеальные материалы для получения следующих простых веществ в особо чистом состоянии: В, С, Qe, Sn, Si, P, As, Sb, Se, Те. Все они образуют летучие гидриды с низкими температурами плавления и кипения и поддаются глубокой очистке ректификацией или кристаллизацией без загрязнения материалом аппаратуры. Термическое разложение гидридов протекает с выделением газообразного водорода, который легко удаляется из сферы реакции. Недостатком метода является высокая токсичность почти всех гидридов, что требует особых мер предосторожности.  [1]

Широкое применение летучих неорганических гидридов для получения особо чистых металлов и полупроводников обусловливает непрерывный рост требований к степени чистоты этих соединений. Показано, что гидриды загрязнены твердыми частицами, состоящими из нелетучих соединений.  [2]

Принципиальные трудности количественного анализа летучих неорганических гидридов и хлоридов при анализе микропримесей состоят в необходимости учета влияния или в устранении влияния основного компонента. В хроматографии с целью уменьшения или устранения маскирующего действия зоны основного компонента отводят его мимо детектора, либо связывают взаимодействием с неподвижной фазой или селективными реагентами, либо, наконец, термически разлагают. Это диктуется в основном высокой реакционной способностью гидридов и хлоридов.  [3]

Чувствительность хроматографического анализа моносилана на летучие неорганические гидриды ( фосфин, диборан и др.) составляет 1 - 10 - 3 - 8 - 10 - 3 %, что гораздо выше фактического их содержания в моносилане особой чистоты.  [4]

С термодинамической точки зрения, низшие летучие неорганические гидриды, за исключением метана и сероводорода, являются нестойкими соединениями и разлагаются при сравнительно невысокой температуре. Последняя зависит от природы гидрида и колеблется для большинства гидридов в интервале 150 - 350 С. Относительно низкая температура разложения гидридов позволяет обеспечить стерильность этого процесса, что весьма важно при получении веществ высокой чистоты.  [5]

Рассмотрены некоторые вопросы глубокой очистки летучих неорганических гидридов. Дана классификация примесей в гидридах по источнику загрязнения и летучести. Рассмотрены особенности глубокой очистки гидридов от малолетучих примесей. Обсуждена целесообразность использования различных методов разделения смесей на стадии предварительной очистки гидридов.  [6]

Возможность применения сорбционного метода осушки летучих неорганических гидридов ( GeH4, AsH3, PH3, H2S) синтетическими цеолитами определяется не только селективностью сорбции влаги, но прежде всего стабильностью очищаемых гидридов при сорбции и десорбции. Сопоставляя факт наличия на поверхности цеолитов специфичных химически активных функциональных групп со значительной реакционной способностью гидридов, нельзя априори быть уверенным в стабильности гидридов при сорбции на цеолитах.  [7]

Как видно из табл 3, летучие неорганические гидриды содержат примеси натрия, меди, магния, бора, алюминия, железа, марганца, кремния, никеля на уровне 1 - 10 - 3 - 1 - 10-в вес.  [8]

Масс-снектральный анализ моносилана и моногермана на содержание микропримесей летучих неорганических гидридов элементов IV-V групп.  [9]

В работе [235] предложена методика определения суммарного содержания углерода в летучих неорганических гидридах, инертных газах, водороде и азоте. Эта методика основана на переходе летучих углеродеодержащих соединений в зоне электрического разряда в присутствии водорода в метан и ацетилен.  [10]

При идентификации углеродсодержащих примесей, а также примесей мышьяка и серы в летучих неорганических гидридах можно использовать метод термического разложения гидридов с последующим анализом характера распределения примесей между аморфной и кристаллической частями получаемого при разложении металла. Примеси, находящиеся в моногермановодороде, также разлагаются, при этом аморфная и кристаллическая твердые фазы германия по-разному влияют на механизм и кинетику разложения примесей.  [11]

В настоящей работе описывается хроматографический метод количественного анализа моносилана и арсина на содержание микропримесей летучих неорганических гидридов IV-VI групп периодической системы элементов, а также анализ моногермана на содержание некоторых легких углеводородов.  [12]

Так, величина предельной адсорбции а0 составляет для SiH4, PHS и AsH3 0 2 ммолъ / г, а моногермана 0 3 ммоль / г. Это в полной мере позволяет использовать молекулярно-ситовое действие цеолита в таком важном процессе, как глубокая осушка летучих неорганических гидридов.  [13]

Выбор цеолита обусловлен тем, что при облучении нейтронами натрий сильно активируется с образованием изотопа 24Na, обладающего ] радиоактивным излучением высокой энергии. Это затрудняет работу с цеолитом NaA, который рекомендован нами для осушки летучих неорганических гидридов. Но так как цеолиты NaA и СаА изготовляются по сходной технологии ( ионы натрия на определенном этапе производства цеолитов замещаются ионами кальция, образец цеолита СаА имел степень обмена ионов Na - 75 - 80 %), состав примесей в обоих цеолитах примерно одинаков. Переход же примесей из цеолита СаА, по-видимому, должен осуществляться легче, чем из цеолита NaA, поскольку молекулы очищаемого гидрида проникают в сорбционные полости первого и не проникают в полости второго.  [14]

При этом наиболее удачным оказалось использование алкоголята натрия, который подается в реактор одновременно с триэтоксисиланом в жидком виде. Преимущество метода заключается в том, что основная масса примесей ( в том числе тяжелые металлы) не образуют летучих неорганических гидридов, и очистка от них моносилана происходит еще на стадии его получения. Вместе с тем полученный в таком процессе моносилан содержит насыщенные пары триэтоксисилана, от которых необходимо осуществлять дополнительную очистку. Очистка моносилана от кремнеорганических эфиров ( три - и тетраэтоксисилана) осуществляется методом низкотемпературной конденсации сразу же после проведения диспропорционирования.  [15]



Страницы:      1    2