Искажение - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Искажения кристаллической решетки действуют аналогично примесям. Так же, как и в случае электронной проводимости, коэффициент рассеивания фононов с увеличением количества примесей должен стремиться к определенному пределу. [1]
Искажение кристаллической решетки и состояние границ зерен в металлах влияют на свойства зерен. Р-1 апример, прочность может увеличиться вследствие искажения кристаллической решетки вблизи границ или уменьшится в связи с наличием в них примесей, которые всегда присутствуют в расплаве. [2]
 |
Схематическое изображение дендрита.| Схема поликристалической структуры. [3] |
Искажение кристаллической решетки и состояние границ зерен в металлах влияют на их свойства. Например, прочность может увеличиться вследствие искажения кристаллической решетки вблизи границ или уменьшиться в связи с наличием в них примесей, которые всегда присутствуют в расплаве. [4]
 |
Зависимость скорости. [5] |
Искажения кристаллической решетки ( дислокации), образование твердых растворов ( особенно пересыщенных) вызывает снижение скорости. Напротив, распад твердых растворов вызывает повышение скорости, что особенно характерно для сплавов алюминия. [6]
Искажение кристаллической решетки, вызванное наклепом, и возникающие при этом напряжения II и III рода способствуют резкому ускорению диффузионных процессов при последующем нагреве. Еще интенсивнее идут эти процессы, если деформация и нагрев сварных швов осуществляются одновременно. Поэтому структурные превращения при нагреве наклепанных сварных швов значительно ускоряются по сравнению со швами, взятыми в исходном состоянии после сварки. Это позволяет путем кратковременного нагрева сварных швов добиться таких результатов, которые в ненаклепанном металле потребовали бы длительного воздействия высокой температуры. [7]
Искажения кристаллической решетки, вызванные когерентными выделениями новой фазы, приводят к диффузному рассеянию рентгеновских лучей и электронов, распределенному в непосредственной близости от узлов обратной решетки. Теоретические результаты, полученные в предыдущих параграфах, позволяют получить простые выражения для распределения интенсивно-стей диффузного рассеяния на картинах дифракции, справедливые в рамках кинематического приближения. В ней рассматривалось диффузное рассеяние, обусловленное точечным дефектом - дилатационным центром в упруго-изотропной среде. Более общие результаты были получены в [182], где учитывалась упругая анизотропия среды, и в [183, 184], где принималась во внимание произвольная геометрия перестройки кристаллической решетки при фазовом превращении и конечные размеры включений. [8]
Искажение кристаллической решетки возникает яри образовании твердых: растворов. Для получения твердого раствора необходимо, чтобы одно вещество было растворено в кристаллической решетке другого вещества. [9]
Искажение кристаллической решетки возникает при образовании твердых растворов. Для получения твердого раствора необходимо, чтобы одно вещество было растворено в кристаллической решетке другого вещества. [10]
 |
Магнитные свойства некоторых марок низкоуглеродистой электротехнической стали ( ГОСТ 11036 - 75. [11] |
Искажения кристаллической решетки, а также концентрация примесей на границах зерен затрудняют процессы смещения доменных границ и приводят к увеличению коэрцитивной силы. [12]
Искажение кристаллической решетки при электрокристаллизации металла возможно не только за счет включений, но и по другим причинам. В частности, образование неравновесной кристаллической решетки с необычными параметрами может быть результатом того, что восстанавливаемый ион металла, проходя через двойной электрический слой, обладающий высоким градиентом потенциала ( 107 в / см), приобретает большую скорость, которая сразу теряется при вхождении в кристаллическую решетку. [13]
 |
Кривая растяжения пластического металла. [14] |
Искажения кристаллической решетки ( напряжения третьего рода) уменьшают интенсивность интерференционных линий на рентгенограмме. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5