Cтраница 4
Пример такого искажения кристаллической решетки приведен на рис. 4.2. Орторомбический кристалл симметрии mmm испытывает в точке фазового перехода искажение, при котором происходит однородная сдвиговая деформация всего кристалла и каждой элементарной ячейки вокруг оси z; при этом исчезают все элементы симметрии, кроме оси 2 вдоль z и перпендикулярной ей плоскости симметрии. [46]
Уменьшение энергии искажений кристаллической решетки при собирании примесных атомов у дислокаций не сопровождается образованием новых поверхностей раздела, как, например, при фазовых превращениях. При деформационном старении практически отсутствует энергетический барьер зарождения в виде свободной энергии образования зародыша. [47]
![]() |
Влияние температуры на - руемого металла выше грева на механические свойства де - температуры возврата нас. [48] |
Частичное устранение искажений кристаллической решетки при возврате не оказывает влияния на микроструктуру металла. Возврат не препятствует образованию текстуры при деформации. [49]
Большие количества искажений кристаллической решетки сильно задерживают движение дислокацией и способствуют увеличению числа мест там, где они развиваются. [50]
![]() |
Влияние температуры нагрева на механические свойства деформированного металла. ta p - температура начала рекристаллизации, tt - температура перегрева. [51] |
Частичное устранение искажений кристаллической решетки при возврате не оказывает влияния на микроструктуру металла. Возврат не препятствует образованию текстуры при деформации. [52]
Однако устранение искажений кристаллической решетки при возврате не сопровождается изменением микроструктуры. При более высоком нагреве атомы металла приобретают способность к большим передвижениям. На первом этапе образуются новые зерна из определенных центров, а на втором этапе происходит рост кристаллов. В целом описанное явление носит название - рекристаллизации. Схема изменения строения пластически деформированного металла при нагревании показана на фиг. Рекристаллизация протекает при более высоких температурах, чем возврат, и может начаться с заметной скоростью после нагрева выше определенной температуры. [53]
![]() |
Изменение плотности и зависимости от степени пластической деформации образца, подвергнутого растяжению. [54] |
Однако устранение искажений кристаллической решетки при возврате не сопровождается изменением микроструктуры. При более высоком нагреве атомы металла приобретают способность к большим передвижениям. На первом этапе образуются новые зерна из определенных центров, а на втором этапе происходит рост кристаллов. В целом описанное явление носит название рекристаллизации. [55]
![]() |
Схема неоднородного изменения межплоскостных. [56] |
Причиной образования искажений кристаллической решетки являются главным образом дислокации и внедренные атомы. [57]
Это обусловливается искажением кристаллической решетки мартенсита вследствие внедрения в нее атомов углерода. Мартенсит отличается внутренними напряжениями и большой хрупкостью. [58]
Это объясняется искажением кристаллической решетки основного металла даже небольшим количеством примеси. Степень влияния разных примесей на удельное сопротивление разных металлов различна. [59]
Как известно, искажения кристаллической решетки вблизи дефектов кристаллического строения приводят к формированию областей сжатия и растяжения. [60]