Искажение - кристаллическая структура
Cтраница 2
В реальных материалах - сплавах и соединениях - имеются места с локальными искажениями фазовой и кристаллической структуры и соответственно с измененными значениями константы анизотропии и обмена. В магнитотвердых материалах с высокой магнитокристаллической анизотропией процесс перемагничивания осуществляется в основном путем образования зародышей обратной магнитной фазы и движения доменных границ, а в материалах со структурой из совокупности однодоменных частиц - неоднородным вращением векторов намагниченности в отдельных частицах. [16]
 |
Кривая размагничивания ( 1 и кривая удельной объемной магнитной энергии ( 2 разомкнутого магнита. [17] |
Уровень магнитных характеристик магнитно-мягких материалов зависит от их химической чистоты и степени искажения кристаллической структуры. [18]
Как уже сказано выше, при механической обработке металла происходит деформация его поверхностного слоя, искажение кристаллической структуры, концентрация напряжений, инородных включений, дефектов, что неблагоприятно сказывается на свойствах материала. Чем тоньше металл, тем сильнее проявляется это влияние. Устранить этот слой механическим путем невозможно, травление также неприемлемо, так как сопровождается неравномерным растворением металла и часто приводит к его на-водороживанию. Электрохимическое полирование является наиболее эффективным способом удаления регламентированного по толщине некондиционного слоя металла и формирования новой поверхности и поверхностного слоя, лишенных указанных недостатков. В результате этого происходит улучшение ряда механических, электромагнитных, физико-химических свойств, что видно из следующих примеров. [19]
Другой путь целенаправленного изменения хода диффузионных процессов в зоне деформации при трении ( кроме изменения свойств смазочной среды) основан на разной чувствительности энергии активации диффузии разных легирующих элементов к уровню искажений кристаллической структуры, определяемому плотностью дислокаций в поверхностных слоях. [20]
При полировании хромистых и коррозионно-стойких сталей в зависимости от давления и частоты вращения полировального круга происходит наклеп поверхности, а иногда и более глубоких слоев. Искажение кристаллической структуры поверхностных слоев и их пластическая деформация в дальнейшем способствуют коррозионному разрушению ( особенно процессам наводорожи-вания) поверхности формы при обезжиривании и активировании. [21]
Расположение пятнышек на фотопластинке зависит от расстояния между атомами кристаллической решетки материала и, следовательно, отражает его структуру. Механические напряжения вызывают искажение кристаллической структуры, вследствие чего меняется интерференционная картина. Определение напряженного состояния рентгенографическим методом осуществляется путем исследования искажений кристаллической решетки материала при различных способах нагружения - детали. Этот Метод обеспечивает возможность глубоких, обстоятельных исследований. [22]
 |
Парная ( сверхструктурная дислокация в упорядоченном твердом растворе. [23] |
Упрочнение сплава и снижение пластичности при упорядочении происходят из-за торможения дислокаций вследствие образования антифазных границ. При упорядочении происходит искажение матричной кристаллической структуры. Возникающие при этом напряжения дополнительно тормозят движение дислокаций. Интенсивная холодная деформация предварительно упорядоченных железоникелевых сплавов со сверхструктурой FeNi3 и МЦСг приводит к частичному разупорядо-чению. [24]
Вначале под действием циклической нагрузки накапливаются пластические деформации в наиболее слабых и наиболее напряженных зернах материала. На первом этапе существенную роль играют дислокационные искажения кристаллической структуры. Затем в этих зернах появляются линии скольжения. При повторных нагружениях число этих линий скольжения увеличивается и постепенно они сливаются, образуют полосы скольжения и субмикроскопические трещины. Слиянием субмикроскопических трещин и созданием условий для развития прогрессирующей макроскопической трещины заканчивается первая стадия усталостного разрушения. [25]
Для того чтобы рассчитать интенсивность дифракционного спектра искаженного кристалла, необходимо провести усреднение по всем возможным конфигурациям смещений. Детали процедуры усреднения зависят от типа искажения кристаллической структуры и различаются для динамических и статических нарушений. Однако при проведении расчетов теоретической интенсивности дифракционного спектра всегда учитывают следующие два факта. [26]
Модель этой структуры показана на рис. 2.1. Она показывает, каким образом орТоромбическая слоистая структура типа N1H становится искаженной моноклинной структурой. Моноклинные искажения решетки в этом случае отличаются от искажений кристаллической структуры мартенситной фазы в сплавах Си-Zn. Направление однородного сдвига, в результате которого орторомбическая решетка деформируется в моноклинную, не является параллельным направлению перетасовки базисных плоскостей, а ортогонально ему. С помощью этой модели можно достаточно хорошо объяснить результаты исследований методом электронной микродифракции. Недостаток модели состоит в том, что с ее помощью невозможно объяснить существование отражения 001, четко обнаруживаемого на рентгенограммах. Ооцука [1] принял, что период решетки 0 4622 нм соответствует оси с мартенситной фазы. [27]
Изменения механических свойств и структуры металла в результате холодной обработки не являются стойкими. Пластическая деформация детали в холодном состоянии, вызывающая образование сдвигов и искажение кристаллической структуры, приводит металл в неустойчивое структурное состояние. [28]
Изменения механических свойств и структуры металла в результате холодной обработки не являются стойкими. Пластическая деформация детали в холодном состоянии, вызывающая образование сдвигов и искажение кристаллической структуры, приводит металл в неустойчивое структурное состояние. По этой причине металл стремится к более устойчивому структурному состоянию. [29]
Интересно отметить, что метод муара в принципе может быть применен для определения разрешающей способности микроскопа. Действительно, при условии достаточно высоко развитой техники препарирования ( получение пленок без искажений кристаллической структуры, надежная их взаимная ориентация) можно получить набор муаровых картин с различными и наперед заданными расстояниями между полосами. [30]
Страницы: 1 2 3