Искажение - кристаллическая структура
Cтраница 3
 |
Объемная структура кристалла с винтовой дислокацией. [31] |
Так, на рис. 63 показано пространственное расположение атомов, характерное для краевой дислокации. Искажение кристаллической структуры вызвано тем, что в часть объема кристалла введена лишняя атомная полуплоскость ABCD. Поэтому под краевой дислокацией и понимается линия искажения АВ, которая проходит вдоль края лишней атомной плоскости. [32]
Предполагалось, что это углы, ребра кристаллов, пики на поверхности, выступающие атомы. Однако было обнаружено, что даже огромные по сравнению с отдельными атомами иглы размером 0 8 мкм на поверхности золотого катализатора спекаются при 200 С, в то время как каталитический распад N2O на нем протекает при 2оО - 300 С. В настоящее время считается, что основой стабильных нарушений, искажений кристаллической структуры катализаторов являются не физические, а химические нарушения, примеси. Ими могут служить чужеродные атомы, вн дря1С1Цкеоя в решетку, образующие устойчивые соединения. Иногда активаторами оказываются примеси, являющиеся в больших донах ядами. Завершающим этапом развития этих представлений явилась теория пересыщения, предложенная С. [33]
Энергия активации характеризуется шириной запрещенной зоны между полностью заполненной и следующей свободной зоной. Величины D0 и Q связаны с физико-химическими свойствами как вещества диффундирующих частиц, так и вещества, в котором происходит диффузия. Процесс диффузии в твердых телах, в том числе и и полупроводниковых, зависит от наличия в реальных кристаллах структурных дефектов и различного рода несовершенств, как, например, наличия примесей, дислокации и др. Дислокации - искажения кристаллической структуры, возникающие вследствие сдвигов отдельных областей кристалла в процессе роста или при пластической деформации. [34]
Если в простейшей модели рассматривать сопротивление проводника как результат соударений направленно движущихся свободных зарядов с частицами вещества, то оно должно быть прямо пропорционально длине / проводника, так как на большей длине будет больше соударений. Конечно, соударения не являются механическими, взаимодействуют свободные и связанные заряды своими полями. Благодаря прохождению свободных зарядов искажается даже идеальная кристаллическая решетка проводника. Именно на искажениях кристаллической структуры рассеивается энергия упорядоченного движения зарядов. Количество искажений и их величина уменьшаются при увеличении площади S поперечного сечения проводника, поэтому сопротивление проводника должно быть обратно пропорционально этой площади. [35]
Если в исходном состоянии компоненты Ля дублета были хорошо разделены, то с уменьшением содержания серы в масле от оптимального до нуля / Ск дублет все более размывался. Объясняется это явление облегчением условий трения в связи с присадкой серы в масло, в силу чего микроискажения не развивались до столь большого значения, какое они имели при начальном износе на масле без присадки серы. С увеличением содержания серы в масле до 10 % искажения кристаллической структуры незначительно возрастали. [36]
Далее мы будем рассматривать в основном фазовые переходы в кристаллах, связанные со сравнительно небольшими искажениями кристаллической решетки, приводящими тем не менее к изменению симметрии кристалла. В случае, когда эти искажения происходят непрерывным образом, мы говорим о фазовом переходе II рода; существенно, что в этом случае состояние кристалла изменяется непрерывно, плавно. Если в точке фазового перехода I рода структура изменяется скачком, то вблизи фазового перехода II рода искажение сруктуры может быть сколь угодно малым. Фазовые переходы II рода не имеют температурного гистерезиса, не сопровождаются скачкообразным изменением объема и энтропии, а группы симметрии фаз обладают известной преемственностью: с понижением температуры искажение кристаллической структуры в точке фазового перехода приводит к тому, что кристалл теряет некоторые элементы симметрии симметричной обычно высокотемпературной фазы. [37]
Страницы: 1 2 3