I-слой - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Всякий раз, когда я вспоминаю о том, что Господь справедлив, я дрожу за свою страну. Законы Мерфи (еще...)

I-слой

Cтраница 1


Размеры i-слоя в основном определяют время пролета электронов и связаны с рабочим диапазоном частот прибора. Данная структура обладает единственной областью дрейфа и называется однопролетной.  [1]

Формирование i-слоя ( п 2) начинается с лития, у которого имеется три электрона. Два электрона, как у гелия, заполняют К-слой. Третий электрон лития не может находиться в этом слое, так как на ls - орбитали электронных вакансий нет. Помещение третьего электрона на s - орбиталь, максимальная электронная емкость которой равна двум, противоречило бы принципу Паули. У последнего элемента второго периода - неона - все s - и р-орбитали при и 2 заполнены. В ней квадратные скобки символизируют электронные структуры благородных газов, которые органически входят в строение атомов последующих элементов.  [2]

Следующий, I-слой включает две оболочки ( п 2) с четырьмя орбитами ( 22 - 4); из них одна s - орбиталь и три р-орбитали. Затем / И-слой ( п 3) в своих трех оболочках объединяет уже девять орбит ( З2 9); из них, как обычно, одна s - орбиталь, три р-орбитали и пять d - орбиталей. УУ-слой ( п 4) в своих четырех оболочках включает 16 орбит ( 42 16), среди которых одна s - орбиталь, три р-орбитали, пять d - орбиталей и семь / - орбиталей.  [3]

4 Форма выходного сигнала р-тодиода. [4]

Ю-3 Ом-см) i-слоя таких структур составляет примерно 60 мкм.  [5]

Такой слой называется i-слоем, а область полупроводника, где меняется тип электропроводности, называется физическим р - п переходом. Как мы видели, он обусловлен внешним электрическим полем и исчезает при его снятии.  [6]

7 Распределение электрического поля в р - г-л - структуре при. [7]

В реальных приборах вместо идеального i-слоя используют полупроводниковый слой со слабой электронной ( v-слой) или дырочной ( я-слой) проводимостью. При этом в поверхностно-барьерных диодах и в р - - п - или р - п-п - структурах электрическое поле сосредоточивается практически только в вы-сокоомной области полупроводника.  [8]

При этом свободные носители уходят из i-слоя, за исключением узких приграничных областей, где образуется небольшой объемный заряд - положительный у - области и отрицательный у тг-обла-сти, - создаваемый свободными носителями, перешедшими из этих областей.  [9]

Параметры рт могут меняться, если примесь чувствительна к дефектности i-слоев, а равновесная разупорядоченность приповерхностной зоны кристаллов устанавливается медленно. Это может наблюдаться при быстром образовании твердых растворов замещения, при которых переход примеси в слой S возможен лишь при наличии вакансий, неравновесная концентрация которых зависит от времени старения этого слоя.  [10]

На рис. 50, б приведена характеристика германиевого диода с i-слоем.  [11]

Задняя часть трубки после лодочки с навеской заполняется последовательно: I-слоем крупных частиц окиси меди, предварительно освобожденной от органических примесей прокаливанием в железном тигле ( этот слой закрепляется при помощи дисков медной сетки или рыхлых асбестовых пробок); II - слоем хромата свинца длиной 5 см с размером зерна 2 - 3 мм для поглощения двуокиси серы; III - спиралью из серебряной сетки длиной 8 см для связывания свободных галогенов; IV - блестящей восстановленной медной спиралью для восстановления окислов азота до свободного азота. Медную спираль необходимо вновь восстанавливать перед каждым сожжением.  [12]

Но такой вывод противоречит электронной структуре атома азота, поскольку его наружный I-слой содержит всего четыре орбитали ( одну s - и три р-орбитали) и не может вместить более восьми электронов.  [13]

14 Распределение примесей в p - i - n структуре.| Эквивалентные схемы p - i - n структуры. [14]

Саепр / ( Дп Др), где dz - - толщина i-слоя; Дп и Дв - толщины п - и р-слоев.  [15]



Страницы:      1    2    3