I-слой

Cтраница 2

Но такой вывод противоречит электронной структуре атома азота, поскольку его наружный - i-слой содержит всего четыре орбитали ( одну s - и три р-орбитали) и не может вместить более восьми электронов. [16]

Ионным легированием арсенида галлия - типа цинком можно формировать p - f - и-структуры, где высокоомный i-слой расположен под слоем легированного GaAs. Толщина изолирующего слоя определяется концентрацией примеси в исходном материале, режимом легирования и отжига. Образование этого слоя связано с диффузией вакансий и междоузельных атомов из разупорядоченного поверхностного слоя в глубину мишени с последующим формированием стабильных компенсирующих дефектов на расстояниях, значительно превышающих средний проецированный пробег. Глубина залегания s - слоя в GaAs может достигать 3 мкм. [17]

Схема ЛПД типа p - i - n и распределение напряженности поля по структуре. [18]

Время дрейфа дырок в р - область очень мало, а электронов в п - область через п - и i-слой значительно больше. Таким образом, время действия электронов через область собственной проводимости будет определять диапазон частот, в котором фазный сдвиг между напряжением и током равен 180 и прибор имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. [19]

Лавинно-пролетный диод [ 39 ]. [20]

Электроны, образовавшиеся в этом слое, сразу уходят в тг-область, а дырки двигаются в - область и пролетают через i-слой. Так как поле в i-слое в предпробой-ной области достаточно велико, то, как указано выше, их скорость vs в i-слое от поля не зависит. [21]

Она представляет собой трехслойный полупроводник, в котором между тонкими низкоомными ( с большой концентрацией примесей) р - и - слоями расположен промежуточный высокоомный i-слой чистого полупроводника, не содержащего в отличие от р-п перехода объемного заряда. [22]

Распределение примесей в p - i - n структуре.| Эквивалентные схемы p - i - n структуры. [23]

Величины емкостей Q и С, определяются соотношениями Cz - snp / rfz -; С епр / ( Дп - - Др), где d - - толщина i-слоя; Дп и Др - толщины / г - и / 7-слоев. [24]

Светоизлучающие структуры на основе нитрида галлия получают в одном процессе: вначале выращивают слой нелегированного материала, обладающего высокой электронной электропроводимостью за счет вакансий в подрешетке азота, затем на этот слой наращивают компенсированный i-слой, легированный цинком. Вследствие того что цинк обладает ретроградной растворимостью, рост легированного слоя осуществляется при температуре 900 С. [25]

Новый способ уменьшения Ск был найден во введении слоя почти беспримесного Ge между областями базы и коллектора. Казалось бы введение относительно толстого i-слоя должно сильно увеличить время прохождения носителей тока через базовую область и, значит, понизить граничную частоту. Однако в i-слое существует сильное электрическое поле, ускоряющее носители тока, так что время их прохождения увеличивается на самом деле незначительно. [26]

Поскольку дрерфовая скорость носителей, согласно принятым условиям, везде постоянна, проинтегрируем уравнение Пуассона с учетом граничных условий. Напряженность электрического поля изменяется только в тех областях i-слоя, где находятся дрейфующие электроны. [27]

При достаточно большой напряженности поля в приповерхностном слое может измениться тип проводимости. Слой с измененным типом проводимости называется инверсным слоем; слой, в котором птрхгП, называется i-слоем. Область, в которой происходит изменение типа проводимости, называется физическим р-п-переходом. [28]

Схема ЛПД типа p - n - i - n. [29]

В остальной части запирающего слоя напряженность поля ниже критической, при которой происходит ионизация атомов решетки, но несколько выше значения, при котором наступает насыщение дрейфовой скорости. Время дрейфа дырок в / - область очень мало, а электронов в гс - область через п-и i-слой значительно больше. Время движения электронов через область собственной электропроводности будет определять диапазон частот, в котором фазовый сдвиг между напряжением и током равен 180 и прибор имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. [30]

Страницы: 1 2 3