Упругое искажение

Cтраница 1

Относительное изменение электросопротивления при старении ( 20 С сплава А1 1 9 % Си. [1]

Упругие искажения влияют на форму образующихся зон. [2]

Упругое искажение плоскостей скольжения кристаллической решетки, фрагментация зерен и увеличение числа мозаичных блоков также могут препятствовать движению дислокаций и таким образом приводить к наклепу. [4]

Величина упругих искажений решетки определяется также разницей в атомных размерах растворителя и добавки. [5]

Причиной этих упругих искажений, по-видимому, являются дальнодействующие напряжения от неравновесных границ зерен, содержащих внесенные зернограничные дислокации высокой плотности ( см. гл. [6]

Стремление к минимуму энергии упругих искажений влияет не только на форму, но и на взаимное расположение выделений. [7]

Дискретное выделение в сплине Си - 3 % Ti ( 131. [8]

Дополнительный вклад вносит энергия упругих искажений ДСи, возникающих вследствие различий в удельных объемах Матрицы и фазы с иной кристаллической структурой. [9]

Пластический сдвиг в идеальной кристаллической решетке. [10]

Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. [11]

Этот рост обусловлен влиянием упругих искажений решетки, дислокаций и вакансий, усиливающих рассеяние электронов проводимости. Если наклепывать однофазный раствор, в котором предварительно создано К-состоя-ние ( атомные сегрегации), то результат окажется обратным. [12]

Дислокация в кристаллической решетке.| Перемещение дислокации. [13]

Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. Расстояние от центра дефекта до места решетки без искажения принимают равным ширине дислокации, она невелика и равна нескольким атомным расстояниям. [14]

Таким образом, энергия упругих искажений решетки, возникающих вследствие пластической деформации тела, эквивалентна увеличению энтальпии тела, а в случае образования дислокаций, когда можно пренебречь энтропийной составляющей, она эквивалентна также увеличению термодинамического потенциала. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5