Упругое искажение

Cтраница 2

Дислокация в кристаллической решетке.| Перемещение дислокации. [16]

Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. Расстояние от центра дефекта до места решетки без искажения принимают равным ширине дислокации, она невелика и равна нескольким атомным расстояниям. [17]

Остаточная напряженность, характеризующаяся упругими искажениями решетки, вызывает изменения уровней свободной энергии металла, что оказывает огромное влияние при взаимодействии металла со средой. [18]

При увеличении размера кластера усиливаются упругие искажения и наблюдается, резкий рост энергии когерентной границы. [19]

Всякое нарушение кристаллической структуры, упругие искажения решетки, нарушения, вызванные холодной пластической деформацией, приводят к увеличению электросопротивления. Дефекты атомной структуры влияют на проводимость более эффективно, чем упругие напряжения. [20]

Схема по-лигонизации и образования границ. [21]

Отдых приводит к частичному снятию упругих искажений в решетке путем диффузионного перемещения атомов на небольшие расстояния ( как правило, равных межатомным) и диффузии вакансий. [22]

Схема полигонизации. распределение дислокаций после деформации. 6 - образование внутризеренных блоков. [23]

Полигонизация приводит к дальнейшему снятию упругих искажений ( внутренних напряжений) кристаллической решетки и более полному восстановлению физических свойств. Текстура сохраняется, хотя и становится блочной. [24]

Непрерывные выделения v-фазы в стали XlOCrNiTiW ( 7 мм1 мкм.| Дискретное выделение в сплаве Си - а % Ti. [25]

Дополнительный вклад вносит энергия: упругих искажений АСв, возникающих вследствие различий в удельных объемах матрицы и фазы с иной кристаллической структурой. [26]

Дополнительный вклад вносит энергия: упругих искажений ДСк, возникающих вследствие различий в удельных объемах матрицы и фазы с иной кристаллической: структурой. [27]

Краевая дислокация. [28]

Вокруг линии дислокации возникает область упругого искажения решетки. [29]

К дефектам решетки обычно не относят упругие искажения, возникающие под влиянием внешних нагрузок, температурного, воздействия или объемных изменений при фазовых превращениях. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5