Глубина - проникновение - электрон
Cтраница 1
 |
Схема установки для полимеризации на подложке под действием ускоренных электронов. [1] |
Глубина проникновения электронов в лак зависит от его плотности и энергии электронов. [2]
Количественные измерения глубины проникновения дифрагирующих электронов были сделаны ранее в работе [1] путем конденсации паров серебра на поверхности кристалла золота при использовании эталонного образца серебра. Так как структура решетки золота оставалась при этом неизменной, а постоянные решеток отличались только на 0 4 %, был сделан вывод, что серебро отлагается на поверхности золота в виде тонкого кристаллического слоя. Отраженные от серебра и золота пучки легко различимы из-за различия показателей преломления и некоторых характеристик тонкой структуры этих металлов. При энергии пучка в 50 эв первый мономолекулярный слой обусловливает более 75 % интенсивности отраженного пучка. [3]
 |
Ориентация С-осей пачек углеродных слоев в углеродных волокнах, полученных из полиакрилнитрильного ( а и вискозного ( б сырья. [4] |
Учитывая, что глубина проникновения электронов в углеродное волокно-2000 А и методом электронной дифракции могут быть получены только усредненные по объему значения раз-ориентации углеродных слоев, следует признать, что сочетание этих методов позволяет изучить совокупность поверхностных и объемных характеристик структуры волокна. Выполненные эксперименты показали, что ориентация углеродных слоев ( вдоль оси волокна) на периферии волокна является более совершенной, чем в центральной зоне. Ориентацию пачек углеродных слоев по отношению к поверхности образца исследовали оптическим методом в поляризованном свете. [5]
В связи с малой глубиной проникновения электронов в вещество электронография обычно применяется для структурного анализа очень тонких пленок ( толщиной порядка 0 01 мкм) и порошков, а также поверхностных слоев массивных образцов. В соответствии с этим существуют два метода электроногра-фической съемки - на просвет и на отражение. [6]
С повышением энергии электронов увеличивается глубина проникновения электронов в деталь и толщина восстановленного от окислов и обезгаженного слоя металлов. [7]
Для указанного диапазона применяемых энергий глубина проникновения электронов не превышает десятков микрометров, следовательно, электронный нагрев можно считать чисто поверхностным видом нагрева. [8]
 |
Принцип воспроизведения термопластической записи. [9] |
Разрешающая способность термопластической записи ограничивается глубиной проникновения электронов в термопластический слой, которую можно снизить за счет уменьшения энергии электронного луча. Однако при малых энергиях трудно получить острую фокусировку луча и малые размеры пятна. Практически были записаны элементы с размерами в продольном и поперечном направлениях до 2 мкм. [10]
С увеличением энергии бомбардирующих электронов увеличивается глубина проникновения электронов в слой окисла и толщина восстановленного слоя металла. После обезгаживания электродов быстрыми электронами, когда металл восстанавливается на глубину нескольких атомных слоев, бомбардировка медленными электронами газоотделения не вызывает, так как медленные электроны тормозятся в слое восстановленного металла и не достигают оставшегося в глубине слоя окисла. Поэтому обезгаживание электродов электронной бомбардировкой всегда следует производить при напряжениях на электродах более высоких, чем рабочие напряжения. [11]
Зависимость светоотдачи от энергии бомбардирующих электронов связана с глубиной проникновения электронов в толщу люминофора и требует, таким образом, учета толщины экрана. Изучение ее в катодолюминесценции обнаружило систематическое падение светоотдачи по мере увеличения скорости бомбардирующих электронов, если эта скорость переходит известные пределы [ 152, стр. [12]
Обычно для К, используют ускоряющие напряжения F-10-50 кВ, при к-рых глубина проникновения электронов составляет неск. [13]
Повышение напряжения приводит к уменьшению выгорания, что связано с уменьшением плотности возбуждения вследствие увеличения глубины проникновения электронов. [14]
 |
Схема принципа действия установки для размерной обработки материалов с помощью электронного луча. [15] |
Страницы: 1 2 3